半导体制冷片的热端能够承受的最高环境温度是多少？

不同的半导体制冷片，性能不一样所能承受的温差也不一样。热端的最高温度也不一样。

一般在60℃以内是没问题的。  可以加大散热片，和风扇

.学校里小制作的比赛要用的。一直知道这个东西发热的效率很高可以大于100%。想用来做个烧开水的东西。不知道能不能将水烧开。

会不会和温差、冷端温度有关系？我的制冷片一片能制造40度温差。室温大概是20度，那么是不是就不能把水烧至100度？网上看到有人说叠在一起可以增大温差

然后我去实验过后结果却是叠在一起后的温差反而更小了只有30度了，这是怎么回事？（我实验时的散热是水冷的绝对不是散热上有问题。

两片制冷片之间也是涂了硅脂而且贴合紧密导热很好的。测出的实验结果的温度也都是很准确的）

我很看重这次比赛。希望懂这方面的前辈能不吝赐教。我理解能力也很差。如果可以的话希望尽量能答的详细一点。我分数还很多，真的答得好的我还会再追加。

半导体制冷片的发热面能把水烧开吗？两片叠在一起使用温差会更大吗？

可以将水加热至100度。你使用半导体制冷片当热水器时，注意冷端的散热问题，冷端的温度不能降低，这样才会热端的温度才会继续上升，如果冷端的温度下降到一定值，热端的温度就上不去了。

①热处理温度要求：650±5℃；

②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化

由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。

2、热处理的几个温度区间概念：

热施主：350-550℃，代表温度450℃.

450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。

新施主：550-800℃，代表温度650℃.

650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。

沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃

1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。

还原：＞1200℃

＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

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