如何测量半导体纳米材料的价带与导带

磷杂质是5价原子，它的5个价电子中有4个与硅原子结合成共价键，多出一个电子。 在温度极低时， 这个多出的电子才有可能束缚在磷原子周围。而在一般条件下，绝大多数磷原子的这个多出的电子都是电离了的。 说明激发这个多出的电子到导带所需要的能量 要比激发那些共价键里的电子（就是那些还在价带里的电子）所需的能量少很多很多啊，就是说激发这个电子进入导带容易得多。 所以，磷原子所在的施主能级应该离导带很近才对（而不是离价带近），才符合刚才的现象。 同样的，对应受主杂质的能级，如3价元素碰，应该离价带近，离导带远。不知道我是否说清楚了，有不妥的地方，只因水平有限，所以还请见谅

纳米技术有很多种，基本上可以分成两类，一类是由下而上的方式或称为自组装的方式，另一类是由上而下所谓的微缩方式。前者以各种材料、化工等技术为主，后者则以半导体技术为主。

以前我们都称 IC 技术是「微电子」技术，那是因为晶体管的大小是在微米（10-6米）等级。但是半导体技术发展得非常快，每隔两年就会进步一个世代，尺寸会缩小成原来的一半，这就是有名的摩尔定律（Moore’s Law）。

大约在 15 年前，半导体开始进入次微米，即小于微米的时代，尔后更有深次微米，比微米小很多的时代。到了 2001 年，晶体管尺寸甚至已经小于 0.1 微米，也就是小于 100 纳米。因此是纳米电子时代，未来的 IC 大部分会由纳米技术做成。但是为了达到纳米的要求，半导体制程的改变须从基本步骤做起。每进步一个世代，制程步骤的要求都会变得更严格、更复杂。

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