请问半导体与金属混合会不会改变半导体的性质

半导体与金属一半一半的混合,混合物的金属棵粒会相互接触，就成为导体了。但半导体棵粒的导电性质不会变。另外半导体没有单向导电性质，其导电性没有方向性，你把半导体与半导体二极管混淆了。P型或N型半导体是在不改变半导体晶体晶格的情况下，掺入微量的“杂质”形成的，它只增强了其导电性。一个物体宏观上存中性，不对外显电性。但它的微观内部，可以有电偶极子（也就是极性分子），这偶极子对外就会显电性。但它们在自然状态是无序排列的，所以物体宏观不显电性。内部也没有固定的磁场，当然也导不出电流来。会不会同时有两个方向相反的两个电偶极子作用在由P型和N型半导体混合而成的二极管的P极上，使P极内的空穴不受外面电极距的影响？看来你的概念还是有点不清楚，电偶极子是极性分子，半导体是原子晶体，其内部是不会有其他分子的，怎会有电偶极子。在半导体中存在的是载流子。另外半导体与其他物质如金属混合，会不会改变原来P型和N型半导体的性质？若是掺入少量金属，由金属会产生自由电子，则会变成多数载流子是电子的N型半导体。若是掺入少量硼等或其他能强烈吸收电子的物体，则会变成多数载流子为空穴的P型半导体。改变了导电性，成了导体，并且电流流经半导体？？？与引出电极是不是半导体有关么？所有的引出电极都是导体，没有半导体的电极。

p型半导体中掺入的三价元素是硼、铟、镓等。

要产生较多的空穴浓度就需依赖掺杂或缺陷。在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。

对于Ⅳ族元素，半导体(锗、硅等)需进行Ⅲ族元素的掺杂对于Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体(如砷化镓)，常用掺杂Ⅱ族元素来提供所需的空穴浓度。

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

扩展资料：

在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成P型半导体。在P型半导体中，空穴为多子，自由电子为少子，主要靠空穴导电。

由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等，故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供，自由电子由热激发形成。

参考资料来源：百度百科--P型半导体

参考资料来源：百度百科--半导体

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