有的。
一、几寸指的晶圆大小(直径),几纳米指的晶体管之间的距离。它描述了该工艺代下加工尺度的精确度。
二、它并非指半导体器件中某一具体结构的特征尺寸,而是一类可以反映出加工精度的尺寸的平均值。
三、晶圆直径越大,且晶体管之间的距离越小,那么单片晶圆上集成的晶粒(芯片)数也越多,也就是集成度越高。所以尺寸越做越大,间距(纳米)越做越小,技术也越来越复杂。
扩展资料:
硅是由石英砂所精练出来的,晶圆便是硅元素加以纯化(99.999%),接着是将这些纯硅制成硅晶棒,成为制造集成电路的石英半导体的材料,经过照相制版,研磨,抛光,切片等程序,将多晶硅融解拉出单晶硅晶棒,然后切割成一片一片薄薄的晶圆。
硅片广泛用于集成电路(IC)基板、半导体封装衬底材料,硅片划切质量直接影响芯片的良品率及制造成本。
硅片划片方法主要有金刚石砂轮划片、激光划片。
激光划片是利用高能激光束聚焦产生的高温使照射局部范围内的硅材料瞬间气化,完成硅片分离,但高温会使切缝周围产生热应力,导致硅片边缘崩裂,且只适合薄晶圆的划片。
超薄金刚石砂轮划片,由于划切产生的切削力小,且划切成本低,是应用最广泛的划片工艺。由于硅片的脆硬特性,划片过程容易产生崩边、微裂纹、分层等缺陷,直接影响硅片的机械性能。
同时,由于硅片硬度高、韧性低、导热系数低,划片过程产生的摩擦热难于快速传导出去,易造成刀片中的金刚石颗粒碳化及热破裂,使刀具磨损严重,严重影响划切质量
参考资料来源:百度百科——晶圆
纳米是长度量单位,是一米的十亿分之一(千米→米→厘米→毫米→微米→纳米), 4倍原子大小,万分之一头发粗细。纳米技术是是指制造体积不超过数百个纳米的物体,其宽度相当于几十个原子聚集在一起。硅片尺寸(8英寸、12英寸)上加工纳米级的电路,就能容纳更多晶体管,做出体积更小更复杂的电路。
把纳米技术定位为微加工技术的极限。也就是通过纳米精度的“加工”来人工形成纳米大小的结构的技术。这种纳米级的加工技术,也使半导体微型化即将达到极限。现有技术即便发展下去,从理论上讲终将会达到限度。这是因为,如果把电路的线幅变小,将使构成电路的绝缘膜的为得极薄,这样将破坏绝缘效果。
6英寸芯片与12纳米芯片不同是12纳米芯片更先进,能耗更低,速度更快。因为芯片又叫集成电路,而英寸和纳米都是长度单位,一英寸是25.4毫米,而一纳米是百万分之一毫米,尺寸越小那么要求的技术就越高,难度越大,而储存量就越大,所以6英寸芯片与12纳米芯片不同是12纳米芯片更先进,能耗更低,速度更快。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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