制造出属于自己的中国芯,估计再过20年吧。中芯国际最早在2035年才能追平台积电,让中国就有了自己的3纳米以下芯片,和美国、韩国以及中国台湾也有的并非自己的3纳米以下芯片同为全球顶级,中国不再只有7、5纳米这样的属于自己的芯片;至少再过5年才能超越台积电,独自登顶全球芯片制造,让中国独有了属于自己的1纳米以下芯片。
这样估计,是不是乐观了?只要中国半导体行业坚定不移地推动国内芯片企业自立自强,绝不满足于搞定14纳米以及28纳米“全国产”之后能生产80%以上的芯片,绝不干等着美国及其盟国盟友回心转意,包括把中芯国际移除实体清单、让阿斯麦向中芯国际出售EUV光刻机,就有望在不到20年的时间里先追平、再超越,创造出一国有了自己的先进和领先高端芯片这样的奇迹,全球芯片制造有史以来的第一例,大不了用20以上的时间!
中芯国际超越台积电就是中国半导体行业超越“美国及其盟国盟友半导体行业”。也就是一国的芯片技术链产业链供应链领先于全球,关键是整体自主、全面可控,设计出的、制造出的、封装好的全球顶级芯片都是中国自己的,连设计所依托的全球顶级芯片架构和EDA软件都是中国自己的,芯片制造所依托的全球顶级光刻机以及其他工艺设备、原材料、配件等还是中国自己的。
从此,哪个环节和领域的中国芯片企业就都不会再出现被卡脖子的情况,美国及其盟国盟友根本就没有这样的机会了。当然,中国不会去卡别国包括美国及其盟国盟友的芯片企业的脖子,而是一如既往、不计前嫌地推动国内芯片企业去主动积极地提供最好的服务,其结果将是提升全球供应链的水平。
国内半导体想追上台积电,说实话很难,特别是在五到十年年之内,几乎不太可能,但是,十到十五年以后,很有可能追上。
先说原因,主要还是技术壁垒,要知道,大陆半导体基本上落后于台积电三代,现在代表大陆半导体制程的“天花板”中芯国际目前在14纳米,而台积电已经开始5纳米量产,并且已经在开发3纳米制程。最关键的是,台积电没有国外的技术限制,可以随时买到ASML最先进的EUV光刻机,而大陆半导体用的还是落后DUV光刻机,而且,制造国内光刻机的上海微电子目前能批量制造28纳米制程的技术还没有完全成熟。
因此可以说,半导体制造属于投入大,工序长,而且几乎是一环套一环,每个环节几乎都是世界最尖端的技术,把这些技术有集成起来,也需要高端的技术与时间。而在五到十年之内,我们的GDP极有可能会超过美国,但是技术的发展需要一定时间积累与大量人才的培养,这些都是不能急于求成的。因此可以说,在五到十年之内很难能追上台积电。
但是,不要悲观,为什么说十年以上就极有可能追上呢?主要还是因为以下原因:首先,就是综合国力,我国的GDP极有可能十年之内追上美国,也代表着我国的综合国力强盛,必将带动高科技及其相关产业的极大发展。其次,政策支持,高科技产业代表着一个国家最重要的实力,也必将促进国家的大量投入与政策支持,这些都是高科技发展的重要支持。
再次,市场需求,半导体及芯片进口早已超过石油成为我国第一大进口产品,也代表着国内市场需求巨大,肯定会带动大量资金会投入这个板块,也必将带动整个产业的极快发展。最后,我国制造业蓬勃发展,我国的制造业在去年已经超过西方七国的总和,这也代表着我国制造业发展的巅峰,也代表着我国需要向以半导体制造为高端制造业为主的转型升级,也正因为我国如此庞大制造业的支持,相信半导体制造业的难关也必将会被攻克。
综上所述,个人认为,大陆半导体追上台积电可能需要十年以上的时间。
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