有人说,中国芯片制造落后的真正原因,是没有高端光刻机。其实这话只说对了一半,即使ASML将顶级的EUV光刻机卖给中国,中国也可能需要5-8年,重复别人做过的7纳米、5纳米、3纳米,不太可能一下跳到台积电面前去做2纳米芯片。更重要的是,即使同样是生产2纳米芯片,中芯国际在良率和稳定性方面,极有可能就玩不过台积电而最终导致抢不到订单。也就是说,硅芯片无论是在制造设备,还是制造工艺上都堪称被玩到极致的境界,在几乎全部专利被垄断的情况下,恐怕就不是一台EUV光刻机能够决定胜负的了。要不然,英特尔也懒得受台积电的气了,到2023年才开始生产7纳米芯片,不直接买台EUV生产3纳米芯片就可以了!
总体来看,如果硅芯片玩到2纳米制程是物理极限,那么现在开始着手量产3纳米的台积电,2纳米技术储备肯定是比较充分了的,就看什么时候心情好开始生产而已。也就是说,中国高端芯片制造注定只能是跟随者,很难有被超越的空间了。因此,将注意力集中在第三代半导体,把希望寄托在第三代半导体,是中国芯片出头天的不二选择。所谓的第三代半导体:就是以氮化镓、碳化硅、氧化锌和金刚石四大材料为代表的下一代半导体。具有抗高压、耐高温、传输速度快速,抗击游离辐射等特征,非常符合5G环境下的基站、快充、人造卫星、新能源 汽车 ,高压变电站,物联网等人工智能重要领域的应用。
第三代半导体为智能化时代而来,目前包括台积电、英特尔和三星第三代半导体也处于刚刚起步阶段。第三代半导体用什么设备来做,用什么工艺来做全部都是待确定,这给中国在该领域后来居上提供了巨大的机会。目前中国第三代半导体产业链正在快速形成中,有些终端产品已经实现量产。第三代半导体是个非常复杂的产业生态,中国不但具有巨大的市场,而且最敢尝试新产品。现在中国基本上从最底层技术开始优先使用本土品,从软件系统嵌入、终端产品标准化形成一条龙运作,外部第三代半导体产品想进入中国市场验证性能变得越来越难。中国在5G领先的情况下,凭借强大的制造业,必将在第三代半导体打造全球最完整的全产业链。
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