以Si为例,说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别.

以Si为例,说明导带底状态密度有效质量mdn与导带有效状态密度Nc的意义和区别.,第1张

对于非简并的n型半导体,如果把导带中的所有可能被电子占据的能级都归并到导带底(Ec)这一条能量水平线上(设归并到一起的能级的密度为Nc),那么电子占据各条能级的几率就都将一样(等于exp[-(Ec-Ef)/(kT)]),于是就可直接写出导带电子的浓度与Fermi能级的关系为no=Nc exp[-(Ec-Ef)/kT]. 当然,这时归并到导带底的有可能被占据的能级的密度(Nc)必然不等于整个导带的能级密度,则称Nc为导带的有效能级密度(或者有效状态密度).因为温度越高,电子的能量就越大,则在导带中有可能占据的能级数目就越多,故有效能级密度与温度T有关;仔细的分析可给出为Nc=2(2πm*kT/h2)3/2,式中的h是Planck常数,m*是电子的所谓状态密度有效质量,T是绝对温度. 在室温下,对于Si,Nc=2.8×1019cm–3;对于GaAs,Nc=4.7×1017cm–3.可见,Nc比晶体的原子密度(5×1022 cm–3)要小得多.这就表明,在非简并情况下,载流子只是占据导带中的很少一部分能级(这时电子基本上就处在导带底附近).

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有效质量并不代表真正的质量,而是代表能带中电子受外力时,外力与加速度的一个比例系数(在准经典近似中,晶体电子在外力F*作用下具有加速度a*,所以参照牛顿第二定律定义的m*=F*/a*称作惯性质量)。

定义:

负的有效质量说明晶格对电子作负功,即电子要供给晶格能量,而且电子供给晶格的能量大于外场对电子作功。 有效质量概括了半导体内部势场的作用,使得在解决半导体中电子在外力作用下的运动规律时,可以不涉及内部势场的作用。

概念:将晶体中电子的加速度与外加的作用力联系起来,并且包含了晶体中的内力作用效果。

公式表示:

Ft=MV′-MV0一般认为作用后的瞬间V′近似零故上述公式可简化为Ft=-MV0(公式中的负号表示F、V0反向)

IV称为有效质量.如果移动中不受阻力则所有质点将完全偏聚在表面.由于金属液体存在粘度于是第二相质点不可避免地受到移动阻力F

补充说明:

(1)因为在一般的载流子输运问题中,可以把晶体电子(或空穴)看成是具有动量P= ħk(k是晶体电子的准动量)和能量E = P2/ 2m* 的粒子(量子波包),即认为晶体电子是带有质量m*的自由粒子,m*就是晶体电子的有效质量。这就是所谓准经典近似,即把晶体电子看作为具有一定有效质量的经典粒子(能量与动量的平方成正比)。但是,终究有效质量是一个量子概念,所以有效质量不同于惯性质量,它反映了晶体周期性势场的作用(则可正可负,并可大于或小于惯性质量)。有效质量的大小与电子所处的状态k有关,也与能带结构有关(能带越宽,有效质量越小);并且有效质量只有在能带极值附近才有意义,在能带底附近取正值,在能带顶附近取负值。

(2)对于立方晶体,为了让电导率是一个标量,可引入所谓电导率有效质量;例如Si,导带电子的电导率有效质量mcn与导带底的横向有效质量mt*和纵向有效质量ml*的关系为mcn = 3ml*mt*/(2ml*+mt*),价带空穴的电导率有效质量mcp与重空穴有效质量mph*和轻空穴有效质量mpl*的关系为mcp = ( mph*3/2+ mpl*3/2 ) / ( mph*1/2 + mpl*1/2 ) ≈ mph*。

(3)此外,为了方便讨论导带底不在Brillouin区中心的半导体(如Si)中载流子的能态密度函数,还引入了所谓状态密度有效质量。这种半导体的导带底等能面是旋转椭球面,则其中电子的有效质量不是一个分量(有一个纵向有效质量ml*和两个横向有效质量mt*);这种非球形导带底的能态密度分布函数比较复杂,但是如果把电子有效质量代换为所谓态密度有效质量mdn* =(ml* mt* mt*)1/3,则可以认为它的能态密度分布函数与球形等能面的一样。

对于有s个等价导带底(能谷)的情况,电子的态密度有效质量应该更改为mdn* =(s2 ml* mt* mt*)1/3。对Si,s=6, mdn*=1.08m0,mdp*=0.59m0;对Ge,s=4,mdn*=0.56m0,mdp*=0.37m0,;对GaAs,等能面是球面,s=1,mdn* =m*。

类似地,对于价带顶附近的情况,可同样求得相同形式的能态密度分布函数,并且空穴的状态密度有效质量为mdp* = [ (mpl*)3/2 + (mph*)3/2 ]2/3。

有效质量可以通过所谓回旋共振实验来直接进行测量。因为当半导体处在恒定外磁场B中时,其中的载流子将作螺旋运动,回旋频率为ωc = q B / mn*,所以只要测量出回旋频率,即可得到有效质量mn*;实验上,还在半导体上再加一个交变电磁场[频率为微波~红外光],当交变电磁场的频率等于回旋频率时即发生共振吸收,则测量出此共振频率即可。


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