英特尔大连芯片厂投资总额 25 亿美元，是1992 年后英特尔另行择址新建的第一个晶圆工厂，也是英特尔在亚洲建立的首个300毫米晶圆制造工厂。65纳米制程技术是目前美国政府批准可采用的最高级别的生产技术，而300毫米是半导体行业最先进的晶圆尺寸标准。未来大连芯片厂制造的芯片组将面向全球市场，应用在英特尔新型和主流CPU平台上，为最新型的笔记本和台式机，包括流行的超薄型和经济型笔记本电脑产品提供支持。
大连芯片厂总经理柯必杰表示：“大连芯片厂的建设没有受到全球经济衰退的影响，工厂将于2010年如期建成投产。英特尔对中国及东北地区的经济增长充满信心，并致力于将先进的制造技术引入中国，大力支持大连IT产业生态系统的建设。大连芯片厂制造先进的芯片组产品，对英特尔的未来战略发展具有重大意义。我们在大连芯片厂将奠定一个坚实的基础，为今后的技术升级做好准备。”
大连芯片厂的建设正在按计划稳步推进。综合办公大楼和数据中心IT机房已经落成并投入使用。工厂厂房建设将在今年夏末完成，随后进入设备安装和调试阶段。目前，大连芯片厂雇佣的员工人数已经达到500人，计划投产后员工人数将达1200至1500名员工。
拥有163,000平方米厂房面积的大连芯片厂，在建成后将巩固英特尔在中国芯片制造领域的领先地位，积极推动本土技术人才的培养，并加快中国信息技术产业生态系统的建设。
英特尔大连芯片厂在设计与建造过程中努力减少对环境的影响。英特尔在自身运营中始终秉持世界领先的环保理念，并将其运用在大连芯片厂的设计和建造中。工厂在设计上符合英特尔环保各方面的最高标准，包括用水、能源和化学废弃物处理等。
在中国，大连芯片厂已经成为大连半导体产业发展的催化剂，目前已吸引了12家英特尔供应商前来投资。大连市委书记夏德仁表示：“英特尔项目的意义已经超出了项目本身，它对大连IT产业的发展、对带动大连的就业和创新城市的建设都有重要的意义。目前已有70多家与英特尔有关联的企业与大连签订了合作协议，或者在大连建厂，或者为英特尔提供配套。大连市正在积极发展以英特尔大连芯片厂为中心，集制造、装配、材料、软硬件设计在内的集成电路产业园区。”
半导体分立器件制造行业主要上市公司：目前国内半导体分立器件制造行业的上市公司主要有华润微(688396)、士兰微(600460)、扬杰科技(300373)、华微电子(600360)、新洁能(605111)、苏州固锝(002079)、银河微电(688689)、立昂微(605358)、捷捷微电(300623)、台基股份(300046)等。
本文核心数据：功率半导体分立器件产量、产值、市场结构
1、功率分立器件产量和产值持续上涨
功率半导体分立器件指额定电流不低于1A，或额定功率不低于1W的半导体分立器件。2015-2020年，中国功率半导体分立器件产量和产值均呈现持续上涨的趋势。2020年，中国功率半导体分立器件产量为4885亿只，较2019年同比增长8%。2020年，中国功率半导体分立器件产值达到165.6亿元，较2019年同比增长3%。
2、MOSFET产品优势凸显、需求量大
功率半导体分立器件可以进一步划分为功率二极管、功率晶体管和功率晶闸管三大类，其中BIT、GTR、MOSFET和IGBT均属于功率晶体管的范畴，SCR、GTO和IGCT则属于功率晶闸管的范围内。功率晶体管中，MOSFET和IGBT属于全控型分立器件，MOSFET根据应用特性的不同，还包括平面型功率MOSFET、沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET和屏蔽栅功率MOSFET等多种类型。
MOSFET在分立功率半导体器件当中排名首位，2019年占市场规模的36.3%，其次为二极管、其他三极管(包括IGBT)及晶闸管，市场份额分别为32.2%、26.0%及5.5%。
MOSFET的优势在于开关速度快、输入阻抗高、热稳定性好、所需驱动功率小且驱动电路简单、工作频率高以及不存在二次击穿问题等方面而功率二极管具有结构和原理简单、工作可靠的优势。基于产品自身的特点和优势，MOSFET和二极管在功率分立器件市场中占据近70%的市场规模。在MOSFET下游应用的快速发展基础下，按MOSFET销售额划分的市场规模已由2015年的37亿美元增至2019年的53亿美元，复合年增长率约9.2%。
注：市场结构数据根据2019年市场规模数据计算所得。
3、功率分立器件市场规模将继续增长
展望未来，依据全球需求的普遍上升，加上中国制造分立器件如MOSFET、二极管及三极管的庞大产能，中国功率半导体分立器件市场规模预期将会持续增长。预计到2026年，中国功率半导体分立器件产量将超过16000亿只，产值将超过500亿元。
以上数据参考前瞻产业研究院《中国半导体分立器件制造行业市场前瞻与投资战略规划分析报告》
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