一道半导体物理题，n型GaAs半导体的恒定电场强度为E=12Vcm，其方向沿x的正方向，

我就不带入数据了。

算出电阻率E/j

电导率=1/电阻率=nqμ

然后就可以求出电子浓度n

可是题目中说的是一块n型半导体，那么不管你如何加外电场，内部的载流子分布是恒定的，不会随着位置而变化，因为要符合连续性方程。只有掺杂才会引起浓度变化。所以2、3问的就有些奇怪了

根据我的理解，漂移是指在电场作用下的运动，扩散是指在浓度差驱使下的运动。在PN结中，P区由于富含空穴，N区富含电子，电子向P区扩散，于是在PN结P处累积了N区扩散来的电子，而N区因电子转移到P区变成空穴剩余。在结处，从N区转移到P区的电子和N区剩余的空穴构建了一个内建电场，当N区向P区扩散的电子数目达到一定程度的时候，内建电场的强度刚好增长到不能使更多的电子扩散到P区，于是在PN结处形成一个动态平衡的过程，P/N区各自的电荷净量维持一个相对稳定的数目。你说的变宽和变窄不是P/N结，而应该指的是内建电场的厚度。当外加正向偏压得时候，电子从N区注入，会中和一部分PN结处累积的空穴，因此PN结处构成内建电场的电荷变少，内建电场变弱，变窄，但由于N区由于掺杂而生成的电子和P区掺杂生成的空穴数目不变，所以内建电场的变弱会使原来的动态平衡打破，N区的电子继续向P区扩散来维持内建电场的平衡，他们的扩散产生扩散电流，效果是使内建电场变宽，重新达到平衡，但外加电场仍然不断中和N区的空穴，因此器件内形成持续的电流，这就是二极管正向导通的原理。 当施加反响偏压得时候，电子从P区注入，构成内建电场的电荷数增多，电场变宽，场强增加，使得电子更不容易从N区扩散到P区，于是器件内无电流通过，这也是二极管反向隔断电流的原理。

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