不带负电。
因为半导体中有两种载流子,即价带中的空穴和导带中的电子,以电子导电为主的半导体称之为N型半导体,与之相对的,以空穴导电为主的半导体称为P型半导体。 参与导电的 (即导电载体) 主要是带负电的电子,这些电子来自半导体中的施主。凡掺有施主杂质或施主数量多于受主的半导体都是N型半导体。
由于N型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故N型半导体呈电中性。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。
扩展资料N型半导体形成原理
掺杂和缺陷均可造成导带中电子浓度的增高. 对于锗、硅类半导体材料,掺杂Ⅴ族元素(磷、砷、锑等),当杂质原子以替位方式取代晶格中的锗、硅原子时,可提供除满足共价键配位以外的一个多余电子,这就形成了半导体中导带电子浓度的增加,该类杂质原子称为施主。
Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体的施主往往采用Ⅳ或Ⅵ族元素. 某些氧化物半导体,如ZnO、Ta2O5等,其化学配比往往呈现缺氧,这些氧空位能表现出施主的作用,因而该类氧化物通常呈电子导电性,即是N型半导体,真空加热,能进一步加强缺氧的程度,这表现为更强的电子导电性。
参考资料来源:百度百科-N型半导体
在N型半导体中,电子是多数载流子,空穴是少数载流子,虽然有多余的电子在半导体中可以自由运动,但N型半导体是不带电的。之所以N型半导体中有电子是作为载流子,但电子的产生是因为硅晶圆中的硅原子,被掺杂了磷原子。磷原子因为比硅多一个电子,取代硅原子的位置后,多出来的一个电子形成自由流动的载流子。但因为磷原子带一个单位的正电荷,所有N型半导体总体上是不带电的。
电负性问题。 硼的电负性比较小,比Si的小,只好显正价. 附:电负性 周期表中各元素的原子吸引电子能力的一种相对标度 。又称负电性。元素的电负性愈大,吸引电子的倾向愈大,非金属性也愈强。 F的电负性最大 1.57 硼 1.61 硅 1.81 锗 所以说,吸电子的能力B为最弱,于是电子云密度降低显正价.麻烦采纳,谢谢!欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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