另外,在半导体存储器领域,也有特征尺寸,并不是按照0.7的比例缩小的。而且Flash中的晶体管是浮栅管。所以,NAND Flash芯片的制程工艺可比CPU混乱多了。因为我们更关注Flash芯片的单位面积成本,所以哪怕缩小1nm,也能带来成本的下降。你所看见的19nm应该就是英特尔镁光(IMFT)或者SAMSUNG用在Flash芯片上的。
现在关于硅基CMOS数字电路的制程极限,认为在5nm左右。事实上,早在1、2年前,CMOS逻辑的制程发展就已经变得很困难了。目前Intel的Roadmap上,还是能看见9nm产品的计划的。
半导体公司。1、ADI是业界卓越的半导体公司,在模拟信号、混合信号和数字信号处理的设计与制造领域都发挥着十分重要的作用,所以半导体是FAB的站点。
2、ADI在商用Fab中在三块晶元上制造了近两百万个碳纳米管,其特征尺寸接近130nm。
如果只说大陆地区,中芯国际的45nm线已经量产,正在推进的32nm线还没消息。所以,内地的处理器制程技术停留在45nm阶段。
算上我国不可分割的宝岛台湾,我国半导体实力不要太强哦。现在台湾的TSMC可以做20nm的制程了,是全世界第一大Fab,也是唯一有能力和Intel比拼工艺的Fab。
纳米(nm),是nanometre的译名,即为毫微米,是长度的度量单位,国际单位制符号为nm。1纳米=10的负9次方米,长度单位如同厘米、分米和米一样,是长度的度量单位。
十多年来,中国纳米材料和纳米结构研究取得了引人注目的成就。目前,我国在纳米材料学领域取得的成就高过世界上任何一个国家,充分证明了我国在纳米技术领域占有举足轻重的地位。
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