人称“MENS”之父的杉山进到底有什么贡献？

杉山进博士现任日本立命馆大学“日本立命馆全球创新科研机构”教授，于名城大学，东京工业大学分别获得学士和博士学位。

杉山进教授是日本MEMS技术的先驱，开拓者和领军人物,被誉为“日本MEMS之父”。他带领丰田中央研究所半导体研究所的科学家和技术人员第一次把CMOS和MEMS传感器集成起来，发明了第一代用于汽车安全气囊的加速度传感器，开拓了MEMS产业化的时代。基于速度传感器的汽车安全气囊，成功挽救了无数遭遇车祸的驾车者和乘客，而作为丰田汽车安全气囊传感器的发明人，杉山博士功不可没。

杉山进于1997年加入立命馆大学，创立了MEMS加工实验室和参与创建了立命馆同步辐射加工中心,在LIGA技术上作出了巨大贡献，曾与现任上海应用技术学院理学院教授的李以贵博士完成“基于移动LIGA工艺的微针阵列的设计与制作”的研究。

杉山进虽年事已高，仍不遗余力地支援一些亚非相对落后国家的科学研究的发展和基础设施的建设。

杉山进是电气工程师学会会员、日本应用物理学会成员、日本机器人协会成员、日本机械工程师学会成员、日本电子产品封装研究所成员、美国电气和电子工程师学会成员，并获得了日本文部省大臣奖，日本电子电气学会终生成就奖。

2015年11月9日，杉山进将会来到“中国禅都”广东省新兴县，参加由万事泰集团研究所主办的智能传感器与智能厨房应用技术产业论坛，并且可能与万事泰研究所促成进一步的合作。

半导体的发现实际上可以追溯到很久

1833年，英国巴拉迪最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久， 1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。 半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩——四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成

超导。。1911年,荷兰莱顿大学的卡末林—昂内斯意外地发现,将汞冷却到-268.98°C时,汞的电阻突然消失后来他又发现许多金属和合金都具有与上述汞相类似的低温下失去电阻的特性

半导体早多了。。

日本那会还天皇呢，搞什么科技啊

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