电子型半导体和空穴型半导体。电子型半导体是以电子为多数载流子的半岛材料,它是通过引入式主型杂质而形成的。空穴型半导体是指以带正电的空穴导电为主的半导体。
半导体中掺入微量杂质时,杂质原子附近的周期势场受到干扰并形成附加的束缚状态,在禁带中产生附加的杂质能级。
扩展资料:能提供电子载流子的杂质称为施主(Donor)杂质,相应能级称为施主能级,位于禁带上方靠近导带底附近。
例如四价元素锗或硅晶体中掺入五价元素磷、砷、锑等杂质原子时,杂质原子作为晶格的一分子,其五个价电子中有四个与周围的锗(或硅)原子形成共价键,多余的一个电子被束缚于杂质原子附近,产生类氢浅能级—施主能级。
施主能级上的电子跃迁到导带所需能量比从价带激发到导带所需能量小得多,很易激发到导带成为电子载流子,因此对于掺入施主杂质的半导体,导电载流子主要是被激发到导带中的电子,属电子导电型,称为N型半导体。
掺入杂质的半导体称为【杂质半导体】。
根据掺入的杂质不同,它可分为【N型半导体】和【P型半导体】两种。
没有掺杂的半导体称为本征半导体,掺有杂质的半导体称为杂质半导体。杂质半导体:一种是掺有施主杂质的n型半导体,一种是掺有受主杂质的p型半导体,还有一种是既掺有施主杂质、又掺有受主杂质的补偿型半导体——这种半导体虽然掺入了大量杂质,但是它的电导率很低,类似于本征半导体。
至于掺有非施主和非受主杂质的半导体,一般不称为杂质半导体,因为这种半导体的电导率很低,很难实现半导体器件的功能,除非特殊需要,这种半导体一般不用。
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