MBE 是什么?

MBE 是什么?,第1张

MBE有5个意思。

1,分子束外延

分子束外延是一种新的晶体生长技术,简记为MBE。分子束外延主要研究的是不同结构或不同材料的晶体和超晶格的生长。该法生长温度低,能严格控制外延层的层厚组分和掺杂浓度,但系统复杂,生长速度慢,生长面积也受到一定限制。

2,物料平衡方程

物料平衡方程,简称物料平衡(material balance equation) 用MBE表示。在一个化学平衡体系中,某一给定物质的总浓度,等于各种有关形式平衡浓度之和。

3,瑞士MBE公司

瑞士MBE公司,专业生产O2传感器和分析仪的厂家,该公司的传感器和分析仪广泛应用于食品、生物、环保、发电等领域和行业。另外,MBE公司还生产高质量的CO2和CH4分析仪。

4,大英帝国勋章员佐勋章

大英帝国勋章的第5级:员佐勋章(Member),简称“MBE”。 员佐勋章人数虽不设限额,但在每年授勋的人数不可多于1464位。

5,生物工程硕士

生物工程硕士,英文全称 Master Of Biotechnology Engineering ,简称MBE。生物工程硕士是由国务院学位办批准的专业工程领域,是运用生物学、化学和工程学等学科相结合的方法,利用生物体制造人类所需产品、改造生态系统和环境的应用技术领域。

扩展资料:

分子束外延是50年代用真空蒸发技术制备半导体薄膜材料发展而来的。随着超高真空技术的发展而日趋完善,由于分子束外延技术的发展开拓了一系列崭新的超晶格器件,扩展了半导体科学的新领域,进一步说明了半导体材料的发展对半导体物理和半导体器件的影响。

分子束外延的优点就是能够制备超薄层的半导体材料;外延材料表面形貌好,而且面积较大均匀性较好;可以制成不同掺杂剂或不同成份的多层结构;外延生长的温度较低,有利于提高外延层的纯度和完整性;利用各种元素的粘附系数的差别,可制成化学配比较好的化合物半导体薄膜。

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在超薄层材料外延生长技术方面,MBE的问世,使原子、分子数量级厚度的外延生长得以实现,开拓了能带工程这一新的半导体领域。半导体材料科学的发展对于半导体物理学和信息科学起着积极的推动作用。它是微电子技术,光电子技术,超导电子技术及真空电子技术的基础。历史地看,外延技术的进展和用它制成所要求的结构在现代半导体器件的发展中起了不可缺少的作用。MBE的出现,无疑激发了科学家和工程师们的想象力,给他们提供了挑战性的机会。分子束外延技术的发展,推动了以GaAs为主的III-V族半导体及其它多元多层异质材料的生长,大大地促进了新型微电子技术领域的发展,造就了GaAs IC、GeSi异质晶体管及其集成电路以及各种超晶格新型器件。特别是GaAs IC(以MESFET、HEMT、HBT以及以这些器件为主设计和制作的集成电路)和红外及其它光电器件,在军事应用中有着极其重要的意义。GaAs MIMIC(微波毫米波单片电路)和GaAs VHSIC(超高速集成电路)将在新型相控阵雷达、阵列化电子战设备、灵巧武器和超高速信号处理、军用计算机等方面起着重要的作用。

90年代中美国有50种以上整机系统使用MIMIC。所谓整机系统包括灵巧武器、雷达、电子战和通信领域。 在雷达方面,包括S、C、X、Ku波段用有源发射/接收(T/R)组件设计制作的相控阵雷达;在电子战方面,Raytheon公司正在大力发展宽带超宽带砷化镓MIMIC的T/R组件和有源诱铒MIMIC;在灵巧武器方面,美国MIMIC计划的第一阶段已有8 种灵巧武器使用了该电路,并在海湾战争中得到了应用;在通信方面,主要是国防通信卫星系统(DSCS),全球(卫星)定位系统(GPS),短波超高频通信的小型倾向毫米波保密通信等。

光电器件在军事上的应用,已成为提高各类武器和通信指挥控制系统的关键技术之一,对提高系统的生存能力也有着特别重要的作用。主要包括激光器,光电探测器,光纤传感器,电荷耦合器件(CCD)摄像系统和平板显示系统等。它们被广泛地应用于雷达、定向武器、制导寻的器、红外夜视探测、通信、机载舰载车载的显示系统以及导d火控、雷达声纳系统等。而上述光电器件的关键技术与微电子、微波毫米波器件 的共同之处是分子束外延,金属有机化合物汽相淀积等先进的超薄层材料生长技术。行家认为未来半导体光电子学的重要突破口将是对超晶格、量子阱(点、线)结构材料及器件的研究,其发展潜力无可估量。未来战争是以军事电子为主导的高科技战争,其标志就是军事装备的电子化、智能化。而其核心是微电子化。以微电子为核心的关键电子元器件是一个高科技基础技术群,而器件和电路的发展一定要依赖于超薄层材料生长技术如分子束外延技术的进步。


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