海外芯片股一周动态

本周，瑞昱、美光 科技 相继发布业绩报告。台积电3纳米如期下半年量产，或将独霸先进制程市场2 3年。

全球大厂继续在加大布局， Xperi公司宣布收购Vewd， II-VI收购Coherent获中国批准，三星电机将追加投资3000亿韩元扩大FC-BGA基板产能，而美光将在2023财年减少晶圆厂设备资本支出。

另外，技术迭代，人才之争，仍在不时发生，市场传闻英特尔、三星、台积电在美国掀起“抢人大战”。

财报与业绩

1. 美光 科技 三季度营收86.4亿美元 毛利率为46.7% ——7月2日，美光 科技 的营业收入为86.4亿美元，上一季度为77.9亿美元，去年同期为74.2亿美元，该公司毛利率为46.7%。GAAP净收入为26.3亿美元，或摊薄后每股2.34美元。非GAAP净收入为29.4亿美元，或每股摊薄收益2.59美元。营业现金流为38.4亿美元，上一季度为36.3亿美元，去年同期为35.6亿美元。

2. 瑞昱6月营收达96.42亿元新台币 月减7.74%元 ——7月5日，瑞昱6月营收达96.42亿元新台币（单位下同），月减7.74%元，年增2.03%。据台媒《中央社》报道，瑞昱第2季合并营收304.99亿元，创单季新高，季增2.5%；累计今年前6月自结合并营收602.55亿元，年增22.52%。

市场与舆情

1. 三星考虑在2022年下半年下调存储芯片价格 ——7月5日，据业内消息人士透露，三星电子正在考虑在 2022 年下半年降低其存储芯片价格，旨在进一步扩大其市场份额。消息人士称，如果三星决定降价，其他存储芯片公司将效仿，在今年下半年引发价格战。

2. 台积电3纳米将独霸2 3年 ——7月4日，晶圆代工龙头台积电日前召开年度技术论坛宣布，3纳米N3制程将如期于下半年进入量产，并推出支持N3的TSMC FINFLEX技术，将3纳米家族技术的性能、功耗效率及密度，进一步提升。业内分析，台积电3纳米节点或能在先进制程市场独霸2 3年，并通吃人工智能（AI）及高性能运算（HPC）订单，有机会为近期疲弱股价注入一股强心针。

3. 日本供应商拟进一步提高半导体材料报价 ——7月5日，据彭博社报道，昭和电工首席财务官Hideki Somemiya表示，今年以来疫情导致供应混乱、俄乌战争致使能源成本飙升以及日元大幅贬值，至少在2023年之前，情况不太可能显著改善，因此公司被迫提价以转嫁成本。他指出，由于昭和电工是台积电、英飞凌、丰田等制造商的供应商，涨价可能会挤压制造商利润，或迫使客户跟进涨价。

投资与扩产

1. Xperi公司通过现金和债务的混合方式以1.09亿美元收购Vewd ——7月6日，Vewd是全球领先的OTT和混合电视解决方案提供商，每年交付3000多万台连接电视设备。此次收购通过其品牌TiVo和全球最大的智能电视中间件独立供应商，使Xperi成为领先的独立媒体平台。此外，该交易使Xperi能够在欧洲安装约1500万台设备，这些设备可以实现货币化，包括激活TiVo+，这是一种免费支持电视服务的广告。

2. 三星电机将追加投资3000亿韩元扩大FC-BGA基板产能 ——7月4日，三星电机宣布计划在韩国和越南的FC-BGA基板生产上投入更多资金，其在公告中指出，将追加投资3,000亿韩元用于韩国釜山、世宗以及越南工厂的设施建设。该公司计划通过此次投资，积极应对半导体的高性能化及市场增长带来的封装基板的需求增加，尤其是将在韩国首次实现年内服务器用封装基板量产，通过扩大服务器、网络、车载等高端产品，强化全球三强地位。

3. Wolfspeed：预计8英寸SiC新厂2024年达产 ——今年4月，Wolfspeed正式启用其位于美国纽约州马西的最先进的莫霍克谷SiC制造厂，莫霍克谷工厂是世界上第一个8英寸碳化硅晶圆厂，今年5月WolfSpeed公布 2022 会计年度第三季 (日历年 Q1) 财报公司，CEO Gregg Lowe当时表示，位于美国纽约州的8英寸SiC新厂已启用并试产，预估明年上半年可望显著贡献营收。全球第一座 SiC 8英寸厂未来可望建立起 SiC 生态体系，预估 8英寸厂营收明年上半年起将开始大幅增加。

4. 美光将在2023财年减少晶圆厂设备资本支出 ——7月2日，美光首席执行官Sanjay Mehrotra表示，包括PC和智能手机在内的消费市场终端需求疲软，已显著拖累了全球内存行业的需求。因此该公司决定在2023财年减少其晶圆厂设备资本支出。

5. 日月光中坜厂第二园区将于7月15日开工 ——日月光投控旗下日月光半导体将于7月15日举行中坜厂第二园区动工典礼。 据台媒《中央社》报道，中坜厂第二园区厂房用于扩充IC封装测试产线，预计将于2024年第三季度完工。不过日月光并未揭露新厂未来的投资金额，业界估计会在百亿新台币以上。

6. II-VI收购Coherent获中国批准 收购总价约70亿美元 ——6月30日，国家市场监督管理总局发布公告称，决定附加限制性条件批准II-VI收购Coherent。根据合并协议中的条款，在交易完成后，Coherent的每股普通股将兑换为220美元现金和0.91股II-VI普通股, 收购总价大约为70亿美元。此前，II-VI预计其对Coherent的并购将于2022年7月1日左右完成。

技术与业务

1. 三星成立半导体封装工作组 ——7月5日，报道称，该工作组由三星电子于6月中旬成立，直接隶属于DS业务部首席执行官Kyung Kye-hyun负责。这团队由来自DS部门测试与系统封装（TSP）的工程师、半导体研发中心的研究人员以及该公司内存和代工部门的管理层组成。预计该团队将提出先进的封装解决方案，以加强与客户的合作。Kyung的举动表明他对先进半导体封装技术的重视。

2. 供应链厂商称并未收到苹果砍单通知 ——7月4日，据台媒报道，此前传出苹果考虑下调iPhone 14出货量，由原定9000万部减少10%。而中国台湾供应链厂商表示，并未收到苹果砍单通知，iPhone 14首批9000万的出货目标保持不变，按照苹果惯例，要等到新产品上市后，观察终端市场实际销售情况，再来做第二波或是第三波调整。因此，目前说下调10%备货量的说法有点太早，供应链目前备货与生产都处于正常水平。

3. 东芝涉足新一代电动飞机马达业务 ——7月2日，东芝将涉足新一代电动飞机核心部件马达的生产。据悉，东芝开发出了几十人乘坐的中型机所需要的兼顾输出功率与小型轻量化的技术，目标是到21世纪20年代后半期实现商业化。

4. 新思 科技 携手台积公司推出全新射频设计方案 ——6月29日，新思 科技 近日推出面向台积公司N6RF工艺的全新射频设计流程，以满足日益复杂的射频集成电路设计需求。台积公司N6RF工艺采用了业界领先的射频CMOS技术，可提供显著的性能和功效提升。新思 科技 携手Ansys、Keysight共同开发了该全新射频设计流程，旨在助力共同客户优化5G芯片设计，并提高开发效率以加速上市时间。

高管与人才

1. 英特尔、三星、台积电在美国掀起“抢人大战” ——6月30日，英特尔、三星、台积电等半导体巨头扎堆在美国新建晶圆产能，这批新晶圆厂预计在2024年开始就将陆续建成投产，将需要至少27000名合格一线工程师，但美国国内学者估计，该国本土劳动力供给不足以填补需求，至少需要引进3500名海外工程师，其中主要将来自于大中华区，学者担忧，根据目前移民政策，如此规模的工签将几乎不可能被核发。

2. 台积电去年全球员工薪酬中位数增至206万新台币 ——7月1日，台积电日前更新的年度永续报告书显示，2021年全球员工薪酬中位数增至206万新台币。台积电去年全球共有1.2683万名新进员工。截至去年底，全球共计6.5152万位员工。台积电指出，除近年来高 科技 产业快速成长，人才市场竞争激烈，流动加速，2021年度招募量较前几年显著增加。

3. 中芯国际：公司技术研发执行副总裁周梅生因退休离任 ——6月30日，中芯国际在公告中指出，目前公司的技术研发工作均正常进行，周梅生博士的退休不会对公司整体研发实力产生重大不利影响。另外，经公司研究决定，新增认定金达先生及阎大勇先生为公司核心技术人员。

4. Arm表示将利用IPO收益推动交易和招募更多员工 ——6月29日，Arm公司希望利用接下来的首次公开募股（IPO）所筹集的资金来促进交易和雇佣更多员工，以开展其雄心勃勃的扩张计划。（校对/Humphrey）

芯源微：5月19日尾盘消息，芯源微最新报价132.09元，涨5.12%，3日内股价上涨5.86%；今年来涨幅下跌-30.19%，市盈率为144.11。

芯源微总股本8400股，流通A股4360.48股，每股收益0.92元。

公司主要从事半导体专用设备的研发、生产和销售，产品包括光刻工序涂胶显影设备（涂胶/显影机、喷胶机）和单片式湿法设备（清洗机、去胶机、湿法刻蚀机），可用于8/12英寸单晶圆处理（如集成电路制造前道晶圆加工及后道先进封装环节）及6英寸及以下单晶圆处理（如化合物、MEMS、LED芯片制造等环节）。公司生产的前道涂胶显影设备通过在客户现场的验证与改进，已陆续获得了株洲中车、青岛芯恩、上海积塔、宁波中芯、昆明京东方、厦门士兰等多个前道大客户的订单；前道SpinScrubber清洗机设备已在中芯国际、上海华力等多个客户处通过工艺验证；光刻工序涂胶显影设备与单片式湿法设备已作为主流机型应用于台积电、长电科技、华天科技、通富微电、晶方科技、华灿光电、干照光电、澳洋顺昌等国内一线大厂。公司于2021年6月11日晚发布2021年度向特定对象发行A股股票预案，拟向不超35名特定投资者发行不超2520万股，募资不超10亿元用于上海临港研发及产业化项目、高端晶圆处理设备产业化项目（二期）和补充流动资金。上海临港研发及产业化项目总投资6.4亿元，建成后用于研发与生产前道ArF光刻工艺涂胶显影机、浸没式光刻工艺涂胶显影机及单片式化学清洗机等高端半导体专用设备。高端晶圆处理设备产业化项目（二期）总投资2.9亿元，达产后主要用于前道I-line与KrF光刻工艺涂胶显影机、前道Barc（抗反射层）涂胶机以及后道先进封装Bumping制备工艺涂胶显影机。

江丰电子：5月19日消息，江丰电子5日内股价上涨0.81%，该股最新报57.47元涨2.99%，成交1.35亿元，换手率1.3%。

公司总股本2.24万股，流通A股1.36万股，每股收益0.47元。

2019年年报披露，在半导体材料领域，溅射靶材销售持续增长，市场份额得以保持和进一步提升，已经成为台积电、中芯国际、海力士、联华电子等客户的主要供应商。

卓胜微：5月19日消息，卓胜微最新报价198.7元，3日内股价上涨2.46%；今年来涨幅下跌-70.13%，市盈率为30.62。

公司总股本3.34万股，流通A股1.91万股，每股收益6.42元。

公司作为芯片设计厂商不直接参与晶圆生产、封测等芯片生产制造过程，为了保证产品的良率与供货能力，公司与全球顶级的晶圆制造商、芯片封测厂商形成紧密合作，晶圆制造商包括TowerJazz、台积电、台联电等，芯片封测厂商包括苏州日月新(日月光与恩智浦合资成立的封测厂)、嘉盛、通富微电等。

汉钟精机：5月19日消息，汉钟精机最新报价16.57元，3日内股价下跌0.87%；今年来涨幅下跌-62.92%，市盈率为17.82。

汉钟精机总股本5.35万股，流通A股5.31万股，每股收益0.91元。

2020年5月8日互动平台回复：公司真空泵产品在台湾和大陆均有销售，台湾客户有台积电、力积电、日月光、力成等，大陆客户因涉及商业信息，暂无法告知。公司真空泵产品完全具有替代进口产品的优势，且有部分大陆半导体厂商在陆续下单。

中微公司：5月19日尾盘消息，中微公司7日内股价上涨3.64%，最新涨1.34%，报112元，换手率0.98%。

公司总股本6.15万股，流通A股2.45万股，每股收益1.76元。

在介质刻蚀设备领域获得了国际一流客户以及本土存储厂商的高度认可，刻蚀设备陆续通过了台积电7nm/5nm制程的工艺验证。

半导体材料(semiconductor material)是一类具有半导体性能(导电能力介于导体与绝缘体之间，电阻率约在1mΩ·cm～1GΩ·cm范围内)、可用来制作半导体器件和集成电路的电子材料。

一、半导体材料主要种类

半导体材料可按化学组成来分，再将结构与性能比较特殊的非晶态与液态半导体单独列为一类。按照这样分类方法可将半导体材料分为元素半导体、无机化合物半导体、有机化合物半导体和非晶态与液态半导体。

1、元素半导体：在元素周期表的ⅢA族至ⅦA族分布着11种具有半导性半导体材料的元素，下表的黑框中即这11种元素半导体,其中C表示金刚石。C、P、Se具有绝缘体与半导体两种形态B、Si、Ge、Te具有半导性Sn、As、Sb具有半导体与金属两种形态。P的熔点与沸点太低,Ⅰ的蒸汽压太高、容易分解，所以它们的实用价值不大。As、Sb、Sn的稳定态是金属，半导体是不稳定的形态。B、C、Te也因制备工艺上的困难和性能方面的局限性而尚未被利用。因此这11种元素半导体中只有Ge、Si、Se 3种元素已得到利用。Ge、Si仍是所有半导体材料中应用最广的两种材料。

（半导体材料）

2、无机化合物半导体：分二元系、三元系、四元系等。 二元系包括：①Ⅳ-Ⅳ族:SiC和Ge-Si合金都具有闪锌矿的结构。②Ⅲ-Ⅴ族:由周期表中Ⅲ族元素Al、Ga、In和V族元素P、As、Sb组成，典型的代表为GaAs。它们都具有闪锌矿结构,它们在应用方面仅次于Ge、Si,有很大的发展前途。③Ⅱ-Ⅵ族:Ⅱ族元素Zn、Cd、Hg和Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物，是一些重要的光电材料。ZnS、CdTe、HgTe具有闪锌矿结构。④Ⅰ-Ⅶ族：Ⅰ族元素Cu、Ag、Au和 Ⅶ族元素Cl、Br、I形成的化合物，其中CuBr、CuI具有闪锌矿结构。⑤Ⅴ-Ⅵ族：Ⅴ族元素As、Sb、Bi和Ⅵ族元素 S、Se、Te形成的化合物具有的形式,如Bi2Te3、Bi2Se3、Bi2S3、As2Te3等是重要的温差电材料。⑥第四周期中的B族和过渡族元素Cu、 Zn、Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni的氧化物,为主要的热敏电阻材料。⑦某些稀土族元素 Sc、Y、Sm、Eu、Yb、Tm与Ⅴ族元素N、As或Ⅵ族元素S、Se、Te形成的化合物。 除这些二元系化合物外还有它们与元素或它们之间的固溶体半导体，例如Si-AlP、Ge-GaAs、InAs-InSb、AlSb-GaSb、InAs-InP、GaAs-GaP等。研究这些固溶体可以在改善单一材料的某些性能或开辟新的应用范围方面起很大作用。

（半导体材料元素结构图）

半导体材料

三元系包括：族:这是由一个Ⅱ族和一个Ⅳ族原子去替代Ⅲ-Ⅴ族中两个Ⅲ族原子所构成的。例如ZnSiP2、ZnGeP2、ZnGeAs2、CdGeAs2、CdSnSe2等。族：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅲ族原子去替代Ⅱ-Ⅵ族中两个Ⅱ族原子所构成的, 如 CuGaSe2、AgInTe2、 AgTlTe2、CuInSe2、CuAlS2等。：这是由一个Ⅰ族和一个Ⅴ族原子去替代族中两个Ⅲ族原子所组成,如Cu3AsSe4、Ag3AsTe4、Cu3SbS4、Ag3SbSe4等。此外，还有它的结构基本为闪锌矿的四元系(例如Cu2FeSnS4)和更复杂的无机化合物。

3、有机化合物半导体：已知的有机半导体有几十种，熟知的有萘、蒽、聚丙烯腈、酞菁和一些芳香族化合物等，它们作为半导体尚未得到应用。

4、非晶态与液态半导体：这类半导体与晶态半导体的最大区别是不具有严格周期性排列的晶体结构。

二、半导体材料实际运用

制备不同的半导体器件对半导体材料有不同的形态要求，包括单晶的切片、磨片、抛光片、薄膜等。半导体材料的不同形态要求对应不同的加工工艺。常用的半导体材料制备工艺有提纯、单晶的制备和薄膜外延生长。

半导体材料所有的半导体材料都需要对原料进行提纯，要求的纯度在6个“9”以上，最高达11个“9”以上。提纯的方法分两大类，一类是不改变材料的化学组成进行提纯，称为物理提纯另一类是把元素先变成化合物进行提纯，再将提纯后的化合物还原成元素，称为化学提纯。物理提纯的方法有真空蒸发、区域精制、拉晶提纯等，使用最多的是区域精制。化学提纯的主要方法有电解、络合、萃取、精馏等，使用最多的是精馏。由于每一种方法都有一定的局限性，因此常使用几种提纯方法相结合的工艺流程以获得合格的材料。

（半导体材料）

绝大多数半导体器件是在单晶片或以单晶片为衬底的外延片上作出的。成批量的半导体单晶都是用熔体生长法制成的。直拉法应用最广，80%的硅单晶、大部分锗单晶和锑化铟单晶是用此法生产的，其中硅单晶的最大直径已达300毫米。在熔体中通入磁场的直拉法称为磁控拉晶法，用此法已生产出高均匀性硅单晶。在坩埚熔体表面加入液体覆盖剂称液封直拉法，用此法拉制砷化镓、磷化镓、磷化铟等分解压较大的单晶。悬浮区熔法的熔体不与容器接触，用此法生长高纯硅单晶。水平区熔法用以生产锗单晶。水平定向结晶法主要用于制备砷化镓单晶，而垂直定向结晶法用于制备碲化镉、砷化镓。用各种方法生产的体单晶再经过晶体定向、滚磨、作参考面、切片、磨片、倒角、抛光、腐蚀、清洗、检测、封装等全部或部分工序以提供相应的晶片。

在单晶衬底上生长单晶薄膜称为外延。外延的方法有气相、液相、固相、分子束外延等。工业生产使用的主要是化学气相外延，其次是液相外延。金属有机化合物气相外延和分子束外延则用于制备量子阱及超晶格等微结构。非晶、微晶、多晶薄膜多在玻璃、陶瓷、金属等衬底上用不同类型的化学气相沉积、磁控溅射等方法制成。

三、半导体材料发展现状

相对于半导体设备市场，半导体材料市场长期处于配角的位置，但随着芯片出货量增长，材料市场将保持持续增长，并开始摆脱浮华的设备市场所带来的阴影。按销售收入计算，

半导体材料日本保持最大半导体材料市场的地位。然而台湾、ROW、韩国也开始崛起成为重要的市场，材料市场的崛起体现了器件制造业在这些地区的发展。晶圆制造材料市场和封装材料市场双双获得增长，未来增长将趋于缓和，但增长势头仍将保持。

（半导体材料）

美国半导体产业协会(SIA)预测，2008年半导体市场收入将接近2670亿美元，连续第五年实现增长。无独有偶，半导体材料市场也在相同时间内连续改写销售收入和出货量的记录。晶圆制造材料和封装材料均获得了增长，预计今年这两部分市场收入分别为268亿美元和199亿美元。

日本继续保持在半导体材料市场中的领先地位，消耗量占总市场的22%。2004年台湾地区超过了北美地区成为第二大半导体材料市场。北美地区落后于ROW(RestofWorld)和韩国排名第五。ROW包括新加坡、马来西亚、泰国等东南亚国家和地区。许多新的晶圆厂在这些地区投资建设，而且每个地区都具有比北美更坚实的封装基础。

芯片制造材料占半导体材料市场的60%，其中大部分来自硅晶圆。硅晶圆和光掩膜总和占晶圆制造材料的62%。2007年所有晶圆制造材料，除了湿化学试剂、光掩模和溅射靶，都获得了强劲增长，使晶圆制造材料市场总体增长16%。2008年晶圆制造材料市场增长相对平缓，增幅为7%。预计2009年和2010年，增幅分别为9%和6%。

半导体材料市场发生的最重大的变化之一是封装材料市场的崛起。1998年封装材料市场占半导体材料市场的33%，而2008年该份额预计可增至43%。这种变化是由于球栅阵列、芯片级封装和倒装芯片封装中越来越多地使用碾压基底和先进聚合材料。随着产品便携性和功能性对封装提出了更高的要求，预计这些材料将在未来几年内获得更为强劲的增长。此外，金价大幅上涨使引线键合部分在2007年获得36%的增长。

与晶圆制造材料相似，半导体封装材料在未来三年增速也将放缓，2009年和2010年增幅均为5%，分别达到209亿美元和220亿美元。除去金价因素，且碾压衬底不计入统计，实际增长率为2%至3%。

四、半导体材料战略地位

20世纪中叶，单晶硅和半导体晶体管的发明及其硅集成电路的研制成功，导致了电子工业革命20世纪70年代初石英光导纤维材料和GaAs激光器的发明，促进了光纤通信技术迅速发展并逐步形成了高新技术产业，使人类进入了信息时代。超晶格概念的提出及其半导体超晶格、量子阱材料的研制成功，彻底改变了光电器件的设计思想，使半导体器件的设计与制造从“杂质工程”发展到“能带工程”。纳米科学技术的发展和应用，将使人类能从原子、分子或纳米尺度水平上控制、 *** 纵和制造功能强大的新型器件与电路，深刻地影响着世界的政治、经济格局和军事对抗的形式，彻底改变人们的生活方式

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