世界上最小的芯片

Hitachi(日立)公司 在日前发布世界上最小的RFID芯片－�0�8芯片。该芯片只有0.15x0.15 mm 大小,厚度为7.5微米。�0�8芯片必须外接RFID天线才可以成为能够正常工作的RFID标签。此次推出的芯片比日立之前发布的�0�8芯片版本0.4x0.4mm 在尺寸上缩小了很多，所以每片晶圆能够制造出来的RFID芯片数量将有近十倍的增长。据专家估计，Hitachi(日立)公司的�0�8芯片成本将仅仅是每片 0.92 美分。

该芯片在生产时已被内置了128位不可更改的UID识别码，当RFID标签受到无线电波的激发时，它将会将该UID码通过电磁场传输给识读器。

该芯片使用了最新的SOI技术(硅绝缘体技术 Silicon-on-Insulator)。硅绝缘体（SOI）是IBM开发的半导体制造技术，它使用单晶硅和二氧化硅来制作集成电路（IC）以及微芯片。SOI微芯片的处理速度往往比现在的互补金属氧化物（CMOS）芯片快30％，电源消耗减少80％，这使得SOI成为移动设备的理想选择。SOI微芯片没有掺杂，消除了大部分电容，使得SOI微芯片能够较快较冷的工作。CMOS芯片加入了掺杂，它允许芯片存储电荷，称为电容。

Hitachi(日立)公司称他们下一步的目标是缩小�0�8芯片的外接天线尺寸和提高RFID标签的读取距离。该芯片可用于物品的追踪、安全、防伪等方面，由于其尺寸上的优势，特别适用于文档或证书等贵重物的防伪。

在集成电路领域，特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为“栅”的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。

特征尺寸（沟道长度）的缩小虽然有明显的好处，但是也会带来一系列负面效应，统称为“短沟道效应”。例如，场效应管强调的是栅极电压的控制作用，但是在沟道短到一定程度时，源与漏之间会存在漏电流，即使撤掉了栅极电压，也可能关不断MOS管。

扩展资料

半导体器件（semiconductor device）通常利用不同的半导体材料、采用不同的工艺和几何结构，已研制出种类繁多、功能用途各异的多种晶体二极，晶体二极管的频率覆盖范围可从低频、高频、微波、毫米波、红外直至光波。

三端器件一 般是有源器件，典型代表是各种晶体管（又称晶体三极管）。晶体管又可以分为双极型晶体管和场效应晶体管两类。

根据用途的不同，晶体管可分为功率晶体管微波晶体管和低噪声晶体管。除了作为放大、振荡、开关用的 一般晶体管外。

还有一些特殊用途的晶体管，如光晶体管、磁敏晶体管，场效应传感器等。这些器件既能把一些环境因素的信息转换为电信号，又有一般晶体管的放大作用得到较大的输出信号。

此外，还有一些特殊器件，如单结晶体管可用于产生锯齿波，可控硅可用于各种大电流的控制电路，电荷耦合器件可用作摄橡器件或信息存 储器件等。在通信和雷达等军事装备中，主要靠高灵敏度、低噪声的半导体接收器件接收微弱信号。

随着微波通信技术的迅速发展，微波半导件低噪声器件发展很快，工作频率不断提高，而噪声系数不断下降。微波半导体 器件由于性能优异、体积小、重量轻和功耗低等特性，在防空反导、电子战等系统中已得到广泛的应用。

参考资料来源：百度百科-特征尺寸

---