物理问题:两个图怎么看出哪个是P型半导体,哪个是N型半导体?

物理问题:两个图怎么看出哪个是P型半导体,哪个是N型半导体?,第1张

1、首先要清楚两种半导体的导电原理。P型半导体靠空穴导电,可以看做是正电荷的定向运动形成电流。N型半导体靠自由电子导电,可以看做自由电子定向移动形成电流。2、从图中看来,左图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向一致,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为正极,因而可判定这是正电荷定向运动所致,因而是P型半导体。3、从图中看来,右图电流方向与导体中形成电流的粒子与电流方向相反,并且图中显示其受合力使其向上板偏移,然后上板为负极,因而可判定这是自由电子定向运动所致,因而是N型半导体。

N型半导体:也称为电子型半导体。N型半导体即自由电子浓度远大于空穴浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入五价元素(如磷),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体。在N型半导体中,自由电子为多子,空穴为少子,主要靠自由电子导电。自由电子主要由杂质原子提供,空穴由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(自由电子)的浓度就越高,导电性能就越强。

P型半导体:也称为空穴型半导体。P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位子,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。掺入的杂质越多,多子(空穴)的浓度就越高,导电性能就越强。

扩展资料

在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝,由于铟或铝原子周围有3个价电子,与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子,形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子,在这类半导体的导电中起主要作用。

在纯净的硅晶体中掺入三价元素(如硼),使之取代晶格中硅原子的位置,就形成P型半导体。在P型半导体中,空穴为多子,自由电子为少子,主要靠空穴导电。由于P型半导体中正电荷量与负电荷量相等,故P型半导体呈电中性。空穴主要由杂质原子提供,自由电子由热激发形成。

只能回答第1题,没做过ccd

本征半导体:你把费米能级画在带隙中央就行了,n型的话把费米能级画在带隙上方靠近导带的地方

对于本征半导体,只有热激发的那可怜的一点点电子空穴可以导电,所以电导率很低.n型的话由于杂质带来很多的电子,远远远远地大于本征热激发那部分,因此导电主要靠那些电子,电导率较高,掺得越多(一定限度下)电导率越高.,4,1,分别画出本征半导体和n型半导体的能带图,并简要解释其导电机理.

2.简述ccd单元结构,以三相ccd为例,说明电荷包转移过程中势阱深度的调节和势阱深度的耦合是如何实现的.


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