半导体的带隙越大越好还是越小越好

越大越好。宽带隙半导体，是指室温下带隙大于2.0电子伏特的半导体材料。从物理学上带隙越宽，其物理化学性质就越稳定，抗辐射性能越好，寿命越长，与此相对应，带隙宽的一个缺点是这种材料对太阳光的吸收较少，光电转换效率低。

导体，半导体，绝缘体，通过能带理论区分的话，是根据带宽来区分的，也就是说倒带到价带之间的宽度，这个称谓带隙。导体的导带一般为半满或者空大，价带中的电子可以通过带隙到导带，因此称谓导体；绝缘体的倒带一般为满带，且带隙一般大于3.6ev，因此不能够形成电子的迁移；对于半导体导带一般为空带，但是带隙较窄一般为0.5-3.6ev，在有杂质能级或者物理场的作用下可以形成电子迁移，这个称谓半导体。

(1)半导体能带结构中,导带最低点与价带最高点之间的能量差称为禁带宽度,以Eg表示(单位为电子伏特ev).若禁带宽度Eg<2ev,则称为窄禁带半导体,如锗(Ge),硅(Si),砷化镓(GaAs),磷化铟(InP)

(2)价带和导带之间的能量值,称为禁带宽度.当固体受光照射时,仅有比禁带宽度能量大的光被吸收,价带的电子激发至导带,结果价带缺少电子,即发生空穴.

(3)该区域的大小称为禁带宽度,其能差为带隙能,半导体的带隙能一般为02～30eV.当用能量等于或大于带隙能的光照射催化剂时,价带上的电子被激发,越过禁带进入导带,同时在价带上产生相应的空穴,即生成电子空穴对.

(4)导带的能量下边界和价带的能量上边界之间的间隙。根据能带理论,固体中运动电子的能量谱值系由一系列准连续的具有一定宽度的能带(称为允带)所组成。两个相邻的允带之间的区域为不能被电子占据的能量禁区,称为禁带。禁带所覆盖的能量区间即为禁带宽度,用Eg表示。在室温下,半导体材料锗、硅、砷化镓的禁带宽度依次?

(5)砷化镓GaAs是典型的直接跃迁材料，当光子能量Ay大于禁带宽度Eg(t)时，对光的吸收系数可以写成即吸收系数和禁带宽度Eg(t)有直接的关系。而根据M.B.盘尼酉的研究，在20—973K的温度范围内，砷化镓材料的禁带宽度Eg(t)与温度t的关系式为：式中：Eg(0)为温度为0K的禁带能量，Eg(0)＝1.522eV；a为经验常数，a＝O.00058eV/K6为经验常数，b＝300K.这样，就可看出吸收系数和温度的关系。最后，可以得出它的透过串T和吸收系数。的关系式(即和温度的关系式)：式中：R为反射系数；X为砷化镓材料的厚度；n1、n2为界面两侧的折射率

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