半导体自旋注入困难的原因是什么

目前自旋极化电子的注入与检测的研究不是很成熟,无论是在理论还 是在实验方面,存在许多问题有待于解决.影响注入效率的因素很多,包 括界面质量,缺陷和杂质密度.以及能带结构等,因此寻找好的自旋极化 电子来源的材料,研究出好的注入与检测方法,提高注入效率,提高居里 (下转第31 方案优势与特点:性能稳定可靠,空间利用率高通过简单的横向扩展堆叠,组成性能与容量同步扩展的"存储池"接入成本低,采用以太网卡和IPSAN 交换机的接入成本远低于FC 入成本后期运维投入较小,总体拥有成本(TCO)降低轻松实现统一管理,统一维护. 整体方案优势(上接第37 温度等方面是目前半导体电子学研究的重点和难点.综上所述,半导体自旋电子学是自旋电子学的热点领域之一,虽然发 展很快,但是对半导体自旋电子学的研究在理论与应用方面还处于刚刚发 展阶段,特别是对于自旋极化的控制与输运的认识还处在一个非常肤浅的 阶段,而且对出现的各种新效应的理解基本上还是一种"拼凑式"的半经 典唯象理论,自旋极化电子的注入与输运控制被认为是自旋电子学发展的 瓶颈.

不会，空穴会和N半导体内的电子复合二消失

模型是这样的

在半导体内时刻都有电子激发到导带，在价带留下空穴。

本征半导体的时候，没有多余的空穴，所以激发后电子和空穴数目相同，并达到一个平衡数目ni

N型半导体，电子多空穴少，所以价带电子比导带空穴多，所以电子激发到导带产生空穴的几率大大降低，所以空穴数目变少了很多，但是还是有一个平衡，就是np=ni^2

你这个时候注入了大量的空穴，本来的平衡被打破了，电子要复合掉多出来的空穴，是平衡重新维持在np=ni^2

举个例子，比如平衡时候ni=1×10^10，n=1×10^14，p=1×10^6

这个时候大量空穴注入，p浓度增加p=1×10^8，所以n会有1×10^8-1×10^6=9.9×10^7的电子出来把多余的p复合掉，这个时候电子数目变为n=1×10^14-(1×10^8-1×10^6)=1×10^14-9.9×10^7≈1×10^14

电子数目几乎不变。

用心就不难学，不过考试以及毕业两方面需要好好考虑。

微电子技术是随着集成电路，尤其是超大型规模集成电路而发展起来的一门新的技术。其发展的理论基础是19世纪末到20世纪30年代期间建立起来的现代物理学。

微电子技术包括系统电路设计、器件物理、工艺技术、材料制备、自动测试以及封装、组装等一系列专门的技术，微电子技术是微电子学中的各项工艺技术的总和。

微电子特点：

与传统电子技术相比，微电子技术具备一定特征，具体表现为以下几个方面：

①微电子技术主要是通过在固体内的微观电子运动来实现信息处理或信息加工。

②微电子信号传递能够在极小的尺度下进行。

③微电子技术可将某个子系统或电子功能部件集成于芯片当中，具有较高的集成性，也具有较为全面的功能性。

④微电子技术可在晶格级微区进行工作。

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