高二物理导体的电阻测试题及答案

高二物理第2章。

1.下列关于电阻率的说法正确的是()

A.电阻率与导体的长度有关

B.电阻率与导体的材料有关

C.电阻率与导体的形状有关

D.电阻率与导体的横截面积有关

答案：B

2.导体的电阻是导体本身的一种性质，对于同种材料的导体，下列表述正确的是()

A.横截面积一定，电阻与导体的长度成正比

B.长度一定，电阻与导体的横截面积成正比

C.电压一定，电阻与通过导体的电流成正比

D.电流一定，电阻与导体两端的电压成反比

解析：选A.根据电阻定律：R=lS，可见当横截面积S一定时，电阻R与长度l成正比，A正确.

3.一只220 V,100 W的灯泡，测量它不工作时的电阻应为()

A.等于484 B.大于484

C.小于484 D.无法确定

解析：选C.灯泡正常工作时的电阻为R=U2P=2202100 =484 ，当灯泡不工作时，其灯丝的电阻率因温度较低而明显小于正常工作时的值，故不工作时的灯丝电阻明显小于正常工作时的电阻，即小于484 .

4.一段粗细均匀的镍铬丝，横截面的直径是d，电阻是R，把它拉制成直径为d/10的均匀细丝后，它的电阻变成()

A.R/10000 B.R/100

C.100R D.10000R

解析：选D.直径变为d10，横截面积则变为原来的1100，长度变为原来的100倍，由R=lS得电阻变为原来的10000倍，故D正确.

5.测量液体的电阻率，工业上采用一种称为电导仪的仪器，其中一个关键部件如图2-6-5所示，A、B是两片面积为1 cm2的正方形铂片，间距为d=1 cm，把它们浸在待测液体中，若通过两根引线加上一定的电压U=6 V 时，测出电流I=1 A，则这种液体的电阻率为多少?

图2-6-5

解析：由R=UI=610-6 =6106

由题意知：l=d=10-2 m，S=10-4 m2

由R=lS得=RSl=610610-410-2 m

=6 104m.

答案：6104 m

一、选择题

1.(2011年南京高二检测)关于电阻和电阻率的说法中，正确的是()

A.导体对电流的阻碍作用叫做导体的电阻，因此只有导体中有电流通过时才有电阻

B.由R=U/I可知导体的电阻与导体两端的电压成正比，跟导体中的电流成反比

C.某些金属、合金和化合物的电阻率随温度的降阺会突然减小为零，这种现象叫做超导现象.发生超导现象时，温度不为绝对零度

D.将一根导线等分为二，则半根导线的电阻和电阻率都是原来的二分之一

答案：CX

2.某金属导线的电阻率为，电阻为R，现将它均匀拉长到直径为原来的一半，那么该导线的电阻率和电阻分别变为()

A.4和4R B.和4R

C.16和16R D.和16R

解析：选D.导体的电阻率反映材料的导电性能，温度一定时电阻率是不变的.导线拉长后，直径变为原来的一半，则横截面积变为原来的1/4，因总体积不变，长度变为原来的4倍，由电阻定律计算可知电阻变为原来的16倍.

3.温度能明显地影响金属导体和半导体材料的导电性能，在图2-6-6所示的图象中分别为某金属和某半导体的电阻随温度变化的关系曲线，则()

图2-6-6

A.图线1反映半导体材料的电阻随温度的变化

B.图线2反映金属导体的电阻随温度的变化

C.图线1反映金属导体的电阻随温度的变化

D.图线2反映半导体材料的电阻随温度的变化

解析：选CD.图线1反映电阻随温度升高而增大的特性，是金属导体的电阻，图线2反映电阻随温度升高而降低的特性，是半导体材料的电阻，故C、D正确，A、B错误.

4.(2011重庆南开中学高二检测)两粗细相同的同种金属电阻丝R1、R2的电流I和电压U的关系图线如图2-6-7所示，可知()

图2-6-7

A.两电阻的大小之比为R1∶R2=3∶1

B.两电阻的大小之比为R1∶R2=1∶3

C.两电阻丝长度之比为L1∶L2=3∶1

D.两电阻丝长度之比为L1∶L2=1∶3

解析：选B.由I-U图象可知R1∶R2=1∶3，B选项正确

根据R=LS，L=RS，所以L1∶L2=R1∶R2

L1∶L2=1∶3，C、D都不正确.

5.两根材料相同的导线，质量之比为2∶1，长度之比为1∶2，加上相同的电压后，通过的电流之比为()

A.8∶1 B.4∶1

C.1∶1 D.1∶4

解析：选A.同种材料的导线体积之比等于质量比：V1∶V2=2∶1，面积之比为S1S2=V1/l1V2/l2=2121=41，由R=lS可得R1R2=l1l2S2S1=1214=18，加上相同电压，由I=UR可得I1I2=R2R1=81，所以A对.

6.白炽灯的灯丝由钨丝制成，当灯丝烧断后脱落一段，又将剩余灯丝刚好能搭接上使用，若灯泡功率原来为60 W，观察搭接起来的灯丝长度大约为原来的34，则现在灯泡的功率约为()

A.30 W B.45 W

C.60 W D.80 W

解析：选D.由电阻定律知，灯丝长度减为原来的34，电阻变为原来的34，照明电路中电压220 V不变，则由P=U2R知功率变为原来的43倍，即80 W，D选项正确.

7.一同学将变阻器与一只6 V 8 W的小灯泡 L 及开关S串联后接在6 V的电源E上，当S闭合时，发现灯泡发光.按如图2-6-8所示的接法，当滑片P向右滑动时，灯泡将()

图2-6-8

A.变暗 B.变亮

C.亮度不变 D.可能烧坏

解析：选B.由题图可知，变阻器接入电路的是PB段的电阻丝，当滑片P向右滑动时，接入电路中的电阻丝变短，电阻变小，小灯泡变亮，B正确由于小灯泡的额定电压等于电源电压，所以不可能烧坏灯泡.故正确答案为B.

8.现有半球形导体材料，接成如图2-6-9所示甲、乙两种形式，则两种接法的电阻之比R甲∶R乙为()

图2-6-9

A.1∶1 B.1∶2

C.2∶1 D.1∶4

解析：选D.将甲图半球形导体材料看成等大的两半部分的并联，则乙图中可以看成两半部分的串联，设每一半部分的电阻为R，则甲图中电阻R甲=R2，乙图中电阻R乙=2R，故R甲∶R乙=1∶4.

9.两根材料相同的均匀导线x和y，x长为l，y长为2l，串联在电路中时，沿长度方向电势变化如图2-6-10所示，则x、y导线的横截面积之比为()

图2-6-10

A.2∶3 B.1∶3

C.1∶2 D.3∶1

解析：选B.由图象可知，Ux=6 V，Uy=4 V，由两导体串联时电流相同，得UxUy=RxRy，而Rx=lSx，Rx=2lSy，所以UxUy=Sy2Sx，则SxSy=Uy2Ux=426=13.故正确答案为B.

二、非选择题

10.如图2-6-11所示，P是一个表面镶有很薄电热膜的长陶瓷管，其长度为L，直径为D，镀膜的厚度为d.陶瓷管两端有导电金属箍M、N.现把它接入电路中，测得它两端电压为U，通过它的电流为I，则金属膜的电阻为______，镀膜材料电阻率的计算式为=____________________.

图2-6-11

解析：

将膜层展开，如图所示，则膜层相当于一电阻，其长度为L，横截面积=管的周长厚度.然后再将电阻的定义式与决定式联立便可求出.

由电阻定律R=LS可得R=D2d=Dd

由欧姆定律R=UI得Dd=UI得DdIL.

答案：UI UDdIL

11.(2011年福州高二测试)一根长为l=3.2 m、横截面积S=1.610-3m2的铜棒，两端加电压U=7.010-2V.铜的电阻率=1.7510-8 m，求：

(1)通过铜棒的电流

(2)铜棒内的电场强度.

解析：(1)由R=lS和I=UR得I=USl=

7.010-21.610-31.7510-83.2 A=2103 A.

(2)E=Ud=7.010-23.2 V/m=2.210-2 V/m.

答案：(1)2103 A (2)2.210-2 V/m

12.(2011年兴义高二检测)A、B两地相距11 km，A地用两根完全相同的导线向B地送电，若两地间某处的树倒了，压在导线上而发生故障.为了找出故障所在处，在A地给两根导线加上12 V的电压，此时在B地测得电压是10 V在B地给两根导线加上12 V的电压，此时在A地测得电压是4 V，问：故障发生在何处?

解析：

作出示意图，在两根导线间的树，相当于阻值为R的电阻，设单位长度导线的电阻为r，故障处离A地的距离为 x km ，由电阻定律可得各段导线的电阻值(在图中标出)，当A处加上12 V电压，B处测得的是R上两端的电压，有串联分压得1210=2xr+RR①

同理：124=211-xr+RR②

由①、②得：x=1 km即故障发生在离A处1 km 处.

答案：离A处 1 km 处

T352光器件封装-光器件封装工艺之--lot、wafer、bar条、die、chip的区别

光通信女人

光通信女人

光通信女人

这是个挺有意思的话题，器件封装厂家介绍，“我们有Bar条解理和测试”时，内心常常充满了自豪，也经常会迎来参观访问者们一句“哦”。

今天国华聊几个名词，比如激光器lot、wafer、bar、die、chip都是指哪一种形态？ 顺便聊下为什么激光器特有Bar条这个词。

半导体光芯片或者电芯片，最早都是一盘子做出来，在一个wafer上，或者叫晶元、晶圆。

无论是光模块里的激光器芯片、探测器芯片、驱动器电芯片，都是一盘一盘的做出来的。中间工艺有不同，设备不同，材料不同....

但都是一个圆盘子，早期小文【 [图文1]T218 半导体芯片制造流程与设备】，点击就可以链接。

国华之前小文说一盘子制作完成之后，整体用探针卡测试，把不良品标注（绿

光通信行业有个特殊的中间品，叫Bar条，这是什么神奇的东西呢。

比如，探测器芯片，可以直接给光一测有木有转成电，或者VCSEL是面发射，一盘子每个激光器加电，一测上面有没有光什么波长的光....。

FP、DFB是侧面发光，一盘子码的整齐的，侧面有没有光咱也看不到啊。咋办。

给它一条一条分开，侧面镀上膜做做端面处理，然后测试，好的坏的就可以区分。这个过程叫解理。

解理这个词是用在矿物质晶体上的，咱们光学的基本材料也是晶体啊，像掰巧克力一样，顺着纹理稍稍用力，就解开成一条条的。

“那直接掰成一块块的测试呗”

也不是不可以，羊毛出在羊身上，你让咱供应商一把把薅羊毛可以，一根一根薅羊毛也可以，用多少人费多少时间的问题呗。

能一盘盘测试，就不愿多费人力设备一条条测，能一条一条的测就不愿意一颗一颗的测。谁家的钱也不是大风刮来的。

Bar测好，再整成小芯片，这个小芯片，一颗颗的，有叫“晶粒”、有叫“chip”，也有叫“芯片或光芯片”，还有叫“管芯”...

为甚么有个管字，其实国华也没有找到确切出处, 或者可能是激光器也好，探测器也好，本质是个PN结，也就是二极管的“管”。

管它呢继续聊，做成一颗颗芯片就可以去封装成光器件了。

哦，对，咱们还有一个词，叫lot，其实一炉子（MOCVD）不只出一盘wafer，一般几盘放一起做，叫一个批次，材料的配比相同，工艺流程相同。

这同一批次叫一个lot，有些属性是通的，

做为一个自豪的底层劳动人民，劳动人民的自豪也是分层次的，自豪程度也是略有不同。

比如，越精细的越自豪：

有材料生长能力>晶圆能力>bar条测试能力>TO封装能力>OSA组装能力>光模块设计能力

越上游越自豪(甲方掏腰包的角色）：

运营商>设备制造商>模块制造商>光器件制造商>芯片提供商>辅材配料商

资源越稀缺越自豪：

光芯片制造能力>电芯片制造能力>封装能力>芯片使用者

在国华的看法里，一个产业良性共同发展才是大道之理，共同把一个蛋糕做精美，无论做蛋糕的师傅、卖蛋糕的店员、买蛋糕的美女都会开心、掏腰包的大哥略忧伤。

一个良性产业各自做各自专业的事，多赢，成就的是一个大环境大氛围。

君不见相机产业链的翘楚‘柯达’不是败给竞争对手，而是败给另一个产业，手机业的崛起，使得每一个手机都成为了相机。

在同一个产业内，竞争是避免不了的，如果站在对手的角度审视自己、发现问题解决问题也是提升自身的一种途径，有序的竞争与协作是个好事情。

我家大哥在家总想欺负欺负我，树立一种权威，他多歇着我多干活，他管攒钱我管挣钱。家庭话语权这是红果果的竞争啊，可是谁敢揍一下国华，我家大哥能跟他玩儿命，这也是红果果的协作。

国华今天班了个门弄了个斧，见谅见谅。

其实 ztjzds 说的第一条是有道理的，半导体随着温度的升高，电阻值会下降。因为温度升高时，半导体内部多子和少子都会增多，通电能力增强，电阻就会下降，这是原理。

至于温度为什么会升高，您排除了外部因素，那就只剩内部因素了。因为电阻表内部也是有电源的，它测试电阻的原理还是欧姆定律U=I*R。所以，随着通电时间的延长，肯定是要发热的，引起电阻变化，虽然这个温度变化我们可能无法直接感受到。

另外，半导体的电阻与电压电流的关系本身就不是线性的，大致呈指数关系。因此，测半导体电阻一般是要求输入电阻，都会记录温度，然后再转换到标准温度下。

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