半导体刻蚀设备哪种工艺技术水平难度系数是最高的硅刻蚀吗?

是。半导体有着全世界的市场，可以自主制造半导体的国家都是大国，小国无法承受半导体研发制造的成本，而刻蚀设备是制造半导体的核心技术之一，在这个工艺中硅刻蚀无疑是难度系数最大的，即便一些大国也很难制作。

MEMS制造工艺（Microfabrication Process）是下至纳米尺度，上至毫米尺度微结构加工工艺的通称。广义上的MEMS制造工艺，方式十分丰富，几乎涉及了各种现代加工技术。

起源于半导体和微电子工艺，以光刻、外延、薄膜淀积、氧化、扩散、注入、溅射、蒸镀、刻蚀、划片和封装等为基本工艺步骤来制造复杂三维形体的微加工技术。

光刻：

光刻是将制作在光刻掩模上的图形转移（Pattern Transfer）到衬底的表面上。无论加工何种微器件，微加工工艺都可以分解成薄膜淀积，光刻和刻蚀这三个工艺步骤的一个或者多个循环。

光刻在MEMS制造过程中位于首要地位，其图形分辨率、套刻精度、光刻胶侧壁形貌、光刻胶缺陷和光刻胶抗刻蚀能力等性能都直接影响到后续工艺的成败。

---