a band gap, also called an energy gap or bandgap
或译作能带隙,在固态物理学中泛指半导体或是绝缘体的价带 (valence band) 顶端至传导带 (conduction band) 底端的能量差距。
对一个本征半导体 (intrinsic semiconductor) 而言,其导电性与能隙的大小有关,只有获得足够能量的电子才能从价带被激发,跨过能隙并跃迁至传导带。利用费米-狄拉克统计 (Fermi-Dirac Statistics) 可以得到电子占据某个能阶 (energy state) E0的机率。又假设E0 >>EF,EF是所谓的费米能阶 (Fermi level),电子占据E0的机率可以利用波兹曼近似简化为:
e^(-Eg/kT)
在上式中,Eg是能隙的宽度,k是波兹曼常数 (Boltzmann's Constant),而T则是开尔文温标。
半导体材料的能隙可以利用一些工程手法加以调整,特别是在化合物半导体中,例如控制砷化镓铝 (AlGaAs) 或砷化镓铟 (InGaAs) 各种元素间的比例,或是利用如分子束磊晶 (Molecular Beam Epitaxy, MBE) 成长出多层的磊晶材料。这类半导体材料在高速半导体元件或是光电元件,如异质接面双载子晶体管 (Heterojunction Bipolar Transistor, HBT)、激光二极管,或是太阳能电池上已经成为主流。
1、半导体迁移率很高,电阻率适中,是制造霍尔元件的较理想材料。金属的迁移率和电阻率均
很低,而不良导体电阻率虽高,但迁移率极小。因此霍尔元件一般采用半导体材料制造。
2、半导体,指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。一般半导体材料的能隙约为1至
3电子伏特,通过电子传导或空穴传导的方式传输电流。半导体在收音机、电视机以及测温上有
着广泛的应用。
3、霍尔元件是应用霍尔效应的半导体。它是一种基于霍尔效应的磁传感器,用它们可以检测磁
场及其变化,可在各种与磁场有关的场合中使用。它的优点有结构牢固、体积小、重量轻、寿
命长、安装方便、功耗小、频率高、耐震动等一般用于电机中测定转子转速,如录象机的磁
鼓,电脑中的散热风扇等。
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