衬底是具有特定晶面和适当电学,光学和机械特性的用于生长外延层的洁净单晶薄片。
化工学衬底最常见的为氮化物衬底材料等。氮化物衬底材料的研究与开发增大字体复位宽带隙的GaN基半导体在短波长发光二极管、激光器和紫外探测器,以及高温微电子器件方面显示出广阔的应用前景;对环保,其还是很适合于环保的材料体系。
扩展资料
半导体的分类:
(1)按化学成分可分为元素半导体和化合物半导体两大类。
锗和硅是最常用的元素半导体;化合物半导体包括第Ⅲ和第Ⅴ族化合物(砷化镓、磷化镓等)、第Ⅱ和第Ⅵ族化合物( 硫化镉、硫化锌等)、氧化物(锰、铬、铁、铜的氧化物),以及由Ⅲ-Ⅴ族化合物和Ⅱ-Ⅵ族化合物组成的固溶体(镓铝砷、镓砷磷等)。
除上述晶态半导体外,还有非晶态的玻璃半导体、有机半导体等。
(2)按照其制造技术可以分为:集成电路器件,分立器件、光电半导体、逻辑IC、模拟IC、储存器等大类,一般来说这些还会被分成小类。
此外还有以应用领域、设计方法等进行分类,虽然不常用,但还是按照IC、LSI、VLSI(超大LSI)及其规模进行分类的方法。此外,还有按照其所处理的信号,可以分成模拟、数字、模拟数字混成及功能进行分类的方法。
参考资料来源:百度百科-半导体
参考资料来源:百度百科-外延衬底
参考资料来源:百度百科-衬底
保证器件结构的致密性和稳定性单晶硅是由多晶硅提纯而来的,多晶硅内有很多晶向的小单元,而单晶硅只有一种晶向。常用到的是和晶向。因为半导体是薄膜工艺,要在硅衬底上生长外延层,在外延层中做器件,用单晶硅做衬底,保证生长的外延层的方向和衬底一致,保证了结构的致密性,稳定性,在整个晶体中都是长程有序,而不是在单个的小单元内是长程有序。
多晶硅的熔点比大多数的金属高,而在现代的半导体制作过程中习惯在高温下沉积栅极材料以增进元件效能。金属熔点低,将会影响制作过程中能使用的温度上限。
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