拥有lGBT第三代半导体的上市公司是那个公司？

说起芯片的话，大家都知道，这是一个很重要的技术。技术含量非常的高。之前我们国家的芯片主要的话还是进口的比较多。最近两年随着科技的发展和国家大力支持，我们国内也有很多公司可以拥有IGBT第三代半导体的整套技术，可以自己上产，那么在有这些能力的上市公司有多少呢，大概是有20多家公司的话有这个能力。和技术可以做得到。

比如三安光电这家公司，就有这个能力。三安光电这家公司是国内成立最早的全色系列高亮度发光二极管外延及芯片生产厂家。一直从事半导体的研发生产和销售。

闻泰科技这个公司是，是智能终端ODM的企业龙头，也是拥有IGBT第三代半导体的研发能力，也有成熟的技术。产能一直在提升，公司对这块业务的投资也非常的大，一直在研发这块的技术。也是半导体公司的行业龙头。

台基股份公司。公司一直积极布局IGBT，固态脉冲开关及第三代半导体等前沿领域的研发，目前已经拥有很多项专利。产能也逐步上升。是中国功率半导体器件的主要制造商之一。公司产品应用于金属熔炼，工业加热，电机调速，软启动等等。以品种齐全质量可靠，服务诚信享誉和畅销全国，并且销往欧美，韩国，台湾，及东南亚国家和地区。是一家很不错的上市公司。

除了这些公司的话，也还有不少公司也是有这个能力和技术的，比如士兰微这家公司也有成熟的技术。可以生产6英寸的硅基氮化镓集成电路芯片生产线，而且还涵盖材料生长、器件研发、GaN电路研发、封装、系统应用的全技术链。 也是一家实力非常强的公司。

列举生产igbt上市公司如下：

1.斯达半导。公司2021年上半年营收7.1亿，净利润1.5亿。公司以IGBT为主的功率半导体芯片和模块的设计研发和生产，并以IGBT模块形式对外实现销售。公司拥有IGBT模块的设计和应用专家，并成立了专门的应用部，能够快速、准确地理解客户的个性化需求，并将这种需求转化成产品要求同时，公司建立了将客户需求快速有效地转化成产品的新产品开发机制，目前公司已形成上百种个性化产品，这些个性化产品成为公司保持与现有客户长期稳定合作的重要基础另外，与国际品牌厂商相比，作为IGBT模块的国产厂商，公司采用了直销模式，直接与客户对接，从而进一步提升了服务客户的效率。

2.新洁能。公司2021年上半年营收6.78亿，净利润1.75亿。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售，公司销售的产品按照是否封装可以分为芯片和功率器件。公司基于全球半导体功率器件先进理论技术开发领先产品，是国内率先掌握超结理论技术，并量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一，是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。

3.华微电子。公司2021年上半年营收9.9亿，净利润2661万。公司主要从事功率半导体器件的设计研发、芯片制造、封装测试、销售等业务。公司发挥自身产品设计、工艺设计等综合技术优势，已建立从高端二极管、单双向可控硅、MOS系列产品到第六代IGBT国内最齐全、最具竞争力的功率半导体器件产品体系，正逐步由单一器件供应商向整体解决方案供应商转变同时公司积极向新能源汽车、军工等领域快速拓展，并已取得明显效果，为公司发展奠定了坚实的基础。

4.台基股份。公司2021年上半年营收1.6亿，净利润3300万。IGBT模块是公司重点发展的主营业务之一，公司通过自主研发和外部引进，已经掌握了工业级IGBT模块的封测技术。公司IGBT模块封测的关键技术和产品指标处于行业先进水平，且具有完全自主的知识产权。公司大功率IGBT已经量产，并积极开展产学研合作，持续跟踪SiC、 GaN等第三代宽禁带半导体技术研发和应用。

5.宏微科技。公司2021年上半年营收2.334亿，净利润3100万。公司主要产品包括 IGBT、FRED 芯片、单管和模块。公司 IGBT 单管芯片全部来自自研，模块产品芯片自研外购并举。公司产品主要用于工业 控制、新能源和变频白色家电领域。

随着碳中和，新能源汽车和工业控制领域的发展，国内igbt的需求会越来越大，未来igbt是一个值得关注的领域。

igbt是一种新型的半导体器件，自从问世以来在自动控制领域，诸如各类变频器、自动化设备、航天科技领域、电动汽车、高铁、煤矿电力、逆变器、电焊机、电影放映机以及大型医疗设备等都使用这个器件。

在家电行业从高档自动电饭煲、电磁炉、变频空调机、调温养生壶、高档调温电磁锅等等都离不开igbt这个半导体器件。

把交流电变成直流电，这个过程称为:整流。整流技术早在八十年代已经基本成熟。把直流电变成交流电，这一过程称为:逆变。

早在八十年代逆变技术依靠的是可控硅，俗称的晶闸管。其原理是将一直流电源加在可控硅的阳极和阴极上，通过另一个触发电路加在可控硅的控制集上，通过调整可控硅控制极上的导通时间，来决定直流电的通断，从而实现把直流电变成交流电的逆变。

另一个方案是将直流电加在晶体三极管上，俗称开关管。将直流电压加在开关管的集电极和发射极上，通过调节基极上的电位，来控制开关管的导通与关闭，从而实现把直流变成交流的逆变过程。

无论是可控硅技术还是开关管通断，都由于这些器件存在着自身电阻大即饱和压降大等特点，因为饱和压降是指在接通电路时自身会产生很大的电压降，随之带来的是产生大量的热。

同时也因为开关三极管的输入电阻小，需要很大的激励和推动电流，所以无论是可控硅还是开关三极管，对前一级电路有着很高的要求。

由于半导体材料自身的特性，即输入电阻小，饱和压降大的缺陷，使得在大功率输出方面限制了其应用范围。所以在很长的一段时间内，电流的逆变技术没有取得大的突破。

在八十年代后期，一只新型半导体器件横空出世，一举解决了前面出现的这些问题，这只半导体器件具有输入阻抗高，输出阻抗低的特点，克服了先前半导体的缺陷，这个半导体器件就是igbt。

---