半导体有哪些主要的散射机理？

1）电离杂质散射

2）晶格振动散射

声学波和光波、声波散射、光波散射

3）其他因素引起的散射

等同的能谷间散射、中性杂质散射、位错散射

这是半导体物理中的一个重要而具有深刻物理意义的问题。

首先要弄清楚，半导体晶体中的载流子不一定会遭受散射，因为排列很规则的晶体原子并不散射载流子，这些原子只决定晶体电子的状态——能带。

其次，之所以载流子会遭受散射，是因为晶体原子总是在运动着的（即热振动），这些运动的原子就会散射载流子（称为声子散射）；同时晶体中也总是或多或少存在着杂质和缺陷，这些因素也要散射载流子。所以在半导体中运动的载流子总会受到散射。

详见“http://blog.163.com/xmx028@126/”中的有关说明。

1) 对掺杂的Si、Ge，主要的散射是声学波散射和电离杂质散射；

2) 对III-V族化合物半导体，如GaAS，光学波散射也很重要，即主要散射是声学波散射、电离杂质散射和光学波散射；

3) 电离杂质散射：τi∝Ni^(-1)T^(3/2),

声学波散射：τs∝T^(-3/2),

光学波散射：τ0∝exp[(hυl/k0T)-1]

希望可以帮到你o(∩_∩)o ，还有疑问可以追问或者我哦~

满意，！

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