电阻与导体长度,横截面积有什么关系？具体一点

电阻的阻值与导体的长度成正比，与横截面积成反比。想象一下水管，水管越长水管中水是不是要通过的时间越长，也就是说阻值越大，水管越粗水管中水要通过的时间越短，也就是说阻值越小。

公式也可以说明 R=p*l/s(p—电阻率查表求；l—电阻长度；s—与电流垂直的电阻截面面积），R与L，R与S的正反比关系就可以说明了。

多数（金属）的电阻随温度的升高而升高，一些半导体却相反。如：玻璃，碳在温度一定的情况下，材料的电阻大小正比于材料的长度，而反比于其面积。

扩展资料

电阻器的分类：

1、如果根据电阻器的工作特性及在电路中的作用来分，可分为固定电阻器和可变电阻器两大类。

阻值固定不变的电阻器称为固定电阻器，固定电阻器又包括很多种，主要有碳质电阻器，碳膜电阻器，金属膜电阻器绕线电阻器等。阻值在一定范围内连接可调的电阻器称为可变电阻器或电位器。可变电阻器一般为两端可调，电位器一般为三端可调。

2、如果按电阻器的外观形状分，一般分为圆柱形电阻器、纽扣电阻器和贴片电阻器等。

3、如果按制作材料的不同，电阻器可分为绕线电阻器、膜式电阻器、碳质电阻器等。

4、如果按用途的不同，电阻器可分为精密电阻器、高频电阻器、高压电阻器、大功率电阻器、热敏电阻器及熔断电阻器等。

5、如果按引出线的不同，电阻器可分为轴向引线电阻器、无引线电阻器等。

参考资料来源：百度百科-电阻

电导率和电阻率 电流密度： 对于一段长为l，截面面积为s，电阻率为ρ的均匀导体，若施加以电压V，则导体内建立均匀电场E，电场强度大小为： 对于这一均匀导体，有电流密度： 半导体的电阻率和电导率 右图所示为N型和P型硅单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 右图所示为N型和P型锗、砷化镓以及磷化镓单晶材料在室温(300K)条件下电阻率随掺杂浓度的变化关系曲线。 电阻率（电导率）同时受载流子浓度（杂质浓度）和迁移率的影响，因而电阻率和杂质浓度不是线性关系。 对于非本征半导体来说，材料的电阻率（电导率）主要和多数载流子浓度以及迁移率有关。 杂质浓度增高时，曲线严重偏离直线，主要原因： 杂质在室温下不能完全电离 迁移率随杂质浓度的增加而显著下降 由于电子和空穴的迁移率不同，因而在一定温度下，不一定本征半导体的电导率最小。 右图所示为一块N型半导体材料中，当施主杂质的掺杂浓度ND为1E15cm-3时，半导体材料中的电子浓度及其电导率随温度的变化关系曲线。 从图中可见，在非本征激发为主的中等温度区间内（即大约200K至450K之间），此时杂质完全离化，即电子的浓度基本保持不变，但是由于在此温度区间内载流子的迁移率随着温度的升高而下降，因此在此温度区间内半导体材料的电导率也随着温度的升高而出现了一段下降的情形。 当温度进一步升高，则进入本征激发区，此时本征载流子的浓度随着温度的上升而迅速增加，因此电导率也随着温度的上升而迅速增加。 而当温度比较低时，则由于杂质原子的冻结效应，载流子浓度和半导体材料的电导率都随着温度的下降而不断减小。 电阻率和温度的变化关系： 载流子的漂移速度饱和效应 前边关于迁移率的讨论一直建立在一个基础之上：弱场条件。即电场造成的漂移速度和热运动速度相比较小，从而不显著改变载流子的平均自由时间。但在强场下，载流

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