半导体teos是电子级正硅酸乙酯。
电子级正硅酸乙酯(TEOS),属于微电子高端化学品,是第三代半导体材料和新兴半导体产业中重要的前驱体材料,需要严格控制金属离子杂质的含量。
半导体teos应用
广泛应用于先进集成电路芯片制造中的各类氧化硅薄膜沉积工艺中,工艺复杂,附加值高。中硅高科将成为国内举足轻重的集成电路材料企业。
前进的脚步,离不开中硅高科在硅基电子材料方面科研实力的支撑,离不开多晶硅材料制备技术国家工程实验室作用的发挥,离不开中国恩菲新高材料事业坚守者、奔跑者的不负初心、不断创新。
未来,中硅高科将继续向“国家战略级硅基材料创新中心和生产基地”攀登,助力国家能源、信息产业高技术、高质量发展。
K2232可以用7N75,7N85,6N65.6N60,K22642SK2266,IFRP054等代换。K2232参数:耐压 60V 电流25A 功率35W 沟道N 外形 TO-220F
可以用K1095、K1214、K1345、K1897、2SK2266,、FRP054直接代替 。
场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET—JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET,简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电,也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(107~1015Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点,现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
场效应管(FET)是利用控制输入回路的电场效应来控制输出回路电流的一种半导体器件,并以此命名。
由于它仅靠半导体中的多数载流子导电,又称单极型晶体管。
FET 英文为Field Effect Transistor,简写成FET。
三氯氢硅SiHCl31.别名•英文名
硅氯仿、硅仿、三氯硅烷;Trichlorosilane、Silicochloroform.
2.用途
单晶硅原料、外延成长、硅液、硅油、化学气相淀积、硅酮化合物制造、电子气。
3.制法
(1)在高温下Si和HCl反应。
(2)用氢还原四氯化硅(采用含铝化合物的催化剂)。
4.理化性质
分子量:135.43
熔点(101.325kPa):-134℃;沸点(101.325kPa):31.8℃;液体密度(0℃):1350kg/m3;相对密度(气体,空气=1):4.7;蒸气压(-16.4℃):13.3kPa;(14.5℃):53.3kPa;燃点:-27.8℃;自燃点:104.4℃;闪点:-14℃;爆炸下限:9.8%;毒性级别:3;易燃性级别:4;易爆性级别:2
三氯硅烷在常温常压下为具有刺激性恶臭易流动易挥发的无色透明液体。在空气中极易燃烧,在-18℃以下也有着火的危险,遇明火则强烈燃烧,燃烧时发出红色火焰和白色烟,生成SiO2、HCl和Cl2:
SiHCl3+O2→SiO2+HCl+Cl2;三氯硅烷的蒸气能与空气形成浓度范围很宽的爆炸性混合气,受热时引起猛烈的爆炸。它的热稳定性比二氯硅烷好,在900℃时分解产生氯化物有毒烟雾(HCl),还生成Cl2和Si。
遇潮气时发烟,与水激烈反应:2SiHCl3+3H2O—→ (HSiO)2O+6HCl;
在碱液中分解放出氢气:SiHCl3+3NaOH+H2O—→Si (OH)4+3NaCl+H2;
与氧化性物质接触时产生爆炸性反应。与乙炔、烃等碳氢化合物反应产生有机氯硅烷:
SiHCl3+CH≡CH一→CH2CHSiCl3 、SiHCl3+CH2=CH2—→CH3CH2SiCl3
在氢化铝锂、氢化硼锂存在条件下,SiHCl3可被还原为硅烷。容器中的液态SiHCl3当容器受到强烈撞击时会着火。可溶解于苯、醚等。无水状态下三氯硅烷对铁和不锈钢不腐蚀,但是在有水分存在时腐蚀大部分金属。
5.毒性
小鼠-吸入LC50:1.5~2mg/L
最高容许浓度:1mg/m3
三氯硅烷的蒸气和液体都能对眼睛和皮肤引起灼伤,吸入后刺激呼吸道粘膜引起各种症状(参见四氯化硅)。
6.安全防护
液体用玻璃瓶或金属桶盛装,容器要存放在室外阴凉干燥通风良好之处或在易燃液体专用库内,要与氧化剂、碱类、酸类隔开,远离火种、热源,避光,库温不宜超过25℃。可用氨水探漏。
火灾时可用二氧化碳、干石粉、干砂,禁止用水及泡沫。废气可用水或碱液吸收。
三氯硅烷有水分时腐蚀性极强。可用铁、镍、铜镍合金、镍钢、低合金钢,不能用铝、铝合金。可以用聚四氟乙烯、聚三氟氯乙烯聚合体、氟橡胶、聚氯乙烯、聚乙烯、玻璃等
二氯二氢硅
又名二氯硅烷,分子式SiH2Cl2,分子量101,沸点8.2℃,溶点-122.0℃。
常温下呈液化气体,25℃液体密度1.25kg/L,极易水解,在空气中冒白烟,有盐酸气味,水分存在下有极强的腐蚀性。
无色,剧毒,腐蚀性,易燃烧的液化气体,带有刺激性的盐酸味,令人窒息。
比容:0.239m3/kg(21.1ºC, 101.325kPa)
CAS Registry No.:4109-96-0
应用:半导体外延和化学气相沉积工艺中的硅源气体。有机硅化合物的生产。制作大规模集成电路所必需的优质硅源
1.物质的理化常数:
国标编号 81043
CAS号 10026-04-7
中文名称 四氯化硅
英文名称 Silicon tetrachloride
别名 氯化硅;四氯化矽
分子式 SiCl4 外观与性状 无色或淡黄色发烟液体,有刺激性气味,易潮解
分子量 169.90 蒸汽压 55.99kPa(37.8℃)
熔点 -70℃ 沸点:57.6℃ 溶解性 可混溶于苯、氯仿、石油醚等多数有机溶剂
密度 相对密度(水=1)1.48;相对密度(空气=1)5.86 稳定性 稳定
危险标记 20(酸性腐蚀品) 主要用途 用于制取纯硅、硅酸乙酯等,也用于制取烟幕剂
2.对环境的影响:
一、健康危害
侵入途径:吸入、食入、经皮吸收。
健康危害:对眼睛及上呼吸道有强烈刺激作用。高浓度可引起角膜混浊,呼吸道炎症,甚至肺水肿。皮肤接触后可引起组织坏死。
二、毒理学资料及环境行为
急性毒性:LC508000ppm,4小时(大鼠吸入)
危险特性:受热或遇水分解放热,放出有毒的腐蚀性烟气。
燃烧(分解)产物:氯化氢、氧化硅。
3.现场应急监测方法:
4.实验室监测方法:
气相色谱法,参照《分析化学手册》(第四分册,色谱分析),化学工业出版社
5.环境标准:
前苏联(1975) 车间卫生标准 5mg/m3
6.应急处理处置方法:
一、泄漏应急处理
疏散泄漏污染区人员至安全区,禁止无关人员进入污染区,建议应急处理人员戴自给式呼吸器,穿化学防护服。不要直接接触泄漏物,勿使泄漏物与可燃物质(木材、纸、油等)接触,在确保安全情况下堵漏。喷水雾减慢挥发(或扩散),但不要对泄漏物或泄漏点直接喷水。将地面洒上苏打灰,然后用大量水冲洗,经稀释的洗水放入废水系统。如果大量泄漏,最好不用水处理,在技术人员指导下清除。
二、防护措施
呼吸系统防护:可能接触其蒸气时,必须佩戴防毒面具或供气式头盔。紧急事态抢救或逃生时,建议佩带自给式呼吸器。
眼睛防护:戴化学安全防护眼镜。
防护服:穿工作服(防腐材料制作)。
手防护:戴橡皮手套。
其它:工作后,淋浴更衣。单独存放被毒物污染的衣服,洗后再用。保持良好的卫生习惯。
三、急救措施
皮肤接触:立即脱去污染的衣着,用流动清水冲洗15分钟。若有灼伤,就医治疗。
眼睛接触:立即提起眼睑,用流动清水冲洗10分钟或用2%碳酸氢钠溶液冲洗。
吸入:迅速脱离现场至空气新鲜处。注意保暖,保持呼吸道通畅。必要时进行人工呼吸。就医。
食入:患者清醒时立即漱口,给饮牛奶或蛋清。立即就医。
灭火方法:干粉、砂土。禁止用水。
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