场效应管衬底与源极短接和直接接地有什么区别

以NMOS三极管为例，把源极S和衬底接地，在栅源间加上正电压Vgs，即在栅极和衬底之间形成的电容上加上正电压，则衬底表面将感应出负电荷来。当栅极电压Vgs大于某一临界位以后，便可以感应出足够的负电荷，在衬底的上表面形成一个N型层(也称为反型层，因为它处于P型衬底的半导体中)，从而把源极S与漏极D连接起来，如图所示,我们把这一个反型层称为导电沟道，把开始形成导电沟道所需的Vgs称为开启电压(夹断电压同理)，记为Ut。随着Vgs的增大，导电沟通也随之加宽。

请看下图的场效应管特性曲线，变量是Vgs。Vgs变化导致栅极和衬底的电压变化，从而改变导电沟通，即改变了三极管的工作点。

若场效应管衬底直接接地，源极悬空或者不接地，Vgs和栅极衬底电压的关系也会改变（开始形成导电沟道所需的Vgs也不一定是Ut了），会影响三极管的工作特性

高压线上的半导体作用是：当屏蔽层

在导体表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的导体等电位并与绝缘层良好接触，从而避免在导体与绝缘层之间发生局部放电，这一层屏蔽为内屏蔽层，同样在绝缘表面和护套接触处也可能存在间隙，是引起局部放电的因素，故在绝缘层表面加一层半导电材料的屏蔽层，它与被屏蔽的绝缘层有良好接触，与金属护套等电位，从而避免在绝缘层与护套之间发生局部放电，这一层屏蔽为外屏蔽层，

半导体是指一种导电性可受控制，范围可从绝缘体至导体之间的材料。