为什么c不能做半导体？

其实是可以的，目前最高频的器件就是用石墨(C)做的。

在240nm工艺下可以达到石墨器件可以跑到100G Hz。同样工艺下的Si器件只能做到40G Hz.

但是，跑得快并不是IC的唯一考虑。从综合性能看来，目前还是Si器件比较稳健。

lie2010说的不对。

石墨的载流子迁移率是很高的(比Si要高1倍多)，所以才能做出非常高频的器件。只是石墨器件比较难做。

器件中，Si，Ge的空穴和自由电子主要不是本征电离得到的， 而是掺杂电力得来的。

详细资料可以看 2010-2-5 Science

100-GHz Transistors from Wafer-Scale Epitaxial Graphene

本征半导体

B，P型半导体

C，N型半导体为什么

1、b（本征半导体掺入五价的P元素变为N型,三价的B元素变为P型）

2、b、a、c（这个没啥好解释的了……）

3、a（给你个简易的方法：三个值中的中间值就是基级,1.3

碳元素通过不同杂化可以做成半导体材料，比如很多成分合适的高聚物在合适的条件下热解碳化的产物就是半导体特征，碳纳米管在结构合适的情况下也是半导体，但是没有经济价值，跟小学生做的什么科学小制作一样，只是个实验室玩具，指望这个赚钱是不可能的，打不过工业界常用的硅晶。

工业界赚钱的东西，往往是成本低廉技术成熟的老东西，新生事物很多只是实验室玩具

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