绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带。绝缘体的禁带宽度一般很宽,Eg 约为3 ~ 6eV,半导体的禁带宽度较窄, Eg约为 0.1 ~ 2eV。
导体一般都有未被价电子填满的导带.还有满带与空带重叠或导带与空带重叠的情形. 绝缘体和半导体在满带和空带之间都有一个无能级存在的禁带.绝缘体的禁带宽度一般很宽,Eg 约为3 6eV,半导体的禁带宽度较窄,Eg约为 0.1 2eV.掺杂后形成的叫做掺杂能带。比如托中的Ed(施主能带),Ea受主能带。所谓的施主能带Ed,指掺杂后能多给出一个电子。对于掺杂半导体,电子和空穴大多数是由杂质来提供的。能够提供电子的杂质称为施主;能够提供空穴的杂质称为受主。施主的能级处在靠近导带底的禁带中;受主的能级处在靠近价带顶的禁带中。
因为施主的电子很容易跑掉而变成自由电子,所以,他的能带在比导带低一点点。
而受主则反之。
因此,会有能带结构图上的那种结构。
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