被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？我们需要几年才能取得突破呢？

我认为中国的半导体行业必然会崛起，任何国家都无法阻挡中国的崛起。要想在半导体行业有所突破，我认为预计需要10年的时间。

我国一直以来都致力于芯片行业的生产和制造，但是在芯片领域方面，我们已经落后欧美国家太多地方了。归根结底，是因为我们起步时间晚于欧美国家，而且欧美国家不愿与我们进行技术分享，甚至进行了全面的技术封锁。这也直接导致了我国的芯片领域方面存在很多技术性短板，在短时间之内还是无法实现超越。

被卡了脖子的中国半导体行业会崛起吗？

至于中国的半导体行业是否会崛起，我的答案是肯定的。但是要想在一两年之内恢复，关键是不太可能的。一起来美国等西方国家总是制裁我国，尤其是喜欢在芯片领域方面。当然这也是美国等西方国家一贯的做法，芯片也是我们为数不多的短板之一。因此，我国的芯片以及半导体行业的发展已经被欧美国家卡脖子。

预计10年之内可以实现。

至于中国半导体行业何时能够崛起，我认为时间需要在10年之内。因为我们与西方欧美国家的技术差距，相差整整10年左右。不过这也是由于当前现状所决定的，一方面我国没有先进的人才，另一方面也是没有更加高端的精密仪器。无论是哪一方面，我们都存在很多的缺陷。因此我国也正在不断的努力，改善我国芯片方面的不足，也正在进一步缩小双方之间的差距。

中国芯片已经取得了很大的进步。

其实中国的芯片在很短的时间之内已经取得了很大的进步，即使与欧美国家仍然具有一定的差距。但是要相比较，上个世纪而言，我国的芯片产业在很短的时间之内有了很大的突破。这在西方欧美国家看来完全是一个奇迹，因为从无到有，一直以来都是中国的做法。

MIC 产业分析师预期 2023 年半导体市场的成长会大幅趋缓，甚至可能与 2022 年持平。

目前半导体产业受到终端市场影响，终端厂商及芯片供应商的库存水位持续升高，供应链已经提前开始库存去化，如果市况没有改善，2022 下半年半导体各产业将会面临不同程度的冲击。不过相较全球半导体成长放缓，中国台湾的半导体产业受到稳定的 IC 封测与 IC 制造营收支撑，整体成长将优于全球。

即便 2023 年全球半导体产业的成长可能大幅趋缓，但是先进封装的需求将持续上升，全球封测产业市场规模也将持续成长。其中，全球前十大半导体专业封测代工（OSAT）厂商中，有 6 家为中国台湾厂商、3 家为中国大陆厂商，反映出中国台湾与中国大陆在全球封测产业之地位。而除了 OSAT 厂商外，晶圆制造大厂如台积电（TSMC)、三星（Samsung)、英特尔（Intel）亦积极布局先进封装技术，加大先进封装资本支出。

半导体发展趋缓

全球半导体市场持续向上成长，但是预期 2023 年市场成长可能趋缓（图 1)。资策会 MIC 产业分析师杨可歆指出，2021 年半导体产业欣欣向荣，因为各应用领域的芯片需求大幅增加，供应链上游到下游都出现供货紧缺的现象。半导体供不应求的情况，带动出货量与价格成长，市场规模与厂商营收也都向上成长。因此，2021 年全球半导体市场的年复合成长率是 26.2%，产值达到 5559 亿美元。

2022 年初，半导体产业在高基期的基础上预测全年发展，预估 2022 年全球半导体市场将有 10% 以上的成长。但是随着 2022 年第一季度乌克兰问题爆发，以及三月开始中国因为新冠疫情封城，全球的消费性市场受到冲击。加上疫情红利逐渐退去，远程工作设备的需求消失，以及通货膨胀影响消费意愿等问题，连带影响 2022 年全球半导体市场的成长幅度。因此，2022 年的半导体市场 YoY 预估从 10% 下修到 8.9%。而年成长预期虽然下调，2022 年全球半导体市场因 2021 年的需求动能延续，且 2022 上半年各领域的需求有所支撑，仍维持正成长，预期 2022 年全球半导体的产值可达到 6056 亿美元。

针对 2023 年的半导体产业预估并不乐观，因为战争及通货膨胀等外部环境负面因素尚未排除，加上消费市场买气不佳，拉货力道疲软。尤其供应链从终端、系统厂到半导体芯片产销、供应等厂商，目前都面临库存水位过高的问题。在市况不明朗及库存水位过高的情况下，预期 2023 年半导体市场的成长会大幅趋缓，甚至可能与 2022 年持平。

特约撰稿 莫大康 推动半导体业进步有两个轮子，一个是工艺尺寸缩小，另一个是硅片直径增大，而且总是尺寸缩小为先。由半导体工艺路线图看，2013年应该进入14纳米节点，观察近期的报道，似乎已无异议，而且仍是英特尔挑起大樑。尽管摩尔定律快“寿终正寝”的声音已不容置辩，但是14nm的步伐仍按期走来，原因究竟是什么? 传统光刻技术与日俱进 当尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能力，必须采用辅助的两次图形曝光技术。 提高光刻的分辨率有3个途径：缩短曝光波长、增大镜头数值孔径NA以及减少k1。显然，缩短波长是最主要的，而且方便易行。目前市场的193nmArF光源是首选，再加入浸液式技术等，实际上达到了28nm，几乎已是极限(需要OPC等技术的帮助)。 所以Fabless公司NVIDIA的CEO黄仁勋多次呼吁工艺制程在22/20nm时的成本一定相比28nm高。其理由是当工艺尺寸缩小到22/20nm时，传统的光刻技术已无能为力，必须采用辅助的两次图形曝光技术(DP)。从原理上讲，DP技术易于理解，甚至可以3次，或者4次。但是这样带来两个大问题，一个是光刻加掩模的成本迅速上升，另一个是工艺的循环周期延长。所以业界心知肚明，在下一代光刻技术EUV尚未到来之际，采用DP是不得已而为之，实际上在技术上的可行性并不是问题，更多的是要从经济层面做出取舍的决定。 193nm光刻技术在计算的光刻技术辅助下，包含两项关键的创新，一个是同时带OPC(光学图形修正)的两次图形曝光技术，另一个是采用一种倒转的光刻技术来改善困难的布局复制，可以在局部区域达到最佳化。 因此可以相信，传统的193nm浸液式光刻技术加上两次图形曝光技术(DP)，甚至4次，从分辨率上在2015年时有可能达到10nm，这取决于业界对于成本上升等的容忍度。 7nm还是5nm 除了工艺尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装等。 何时能够达到7nm或者5nm，截至今日尚无人能够回答，因为EUV何时进入也不清楚。乐观的估计可能在2015年或2016年。如果真能如愿，可能从10nm开始就采用EUV技术，一直走到5nm。但是目前业界比较谨慎，通俗一点的说法仍是两条腿走路。在今年的Semicon West上各厂家的反应也是如此。Nikon正努力延伸193nm的浸液式技术，甚至包含450mm硅片而ASML由于获得英特尔、三星及台积电的支持，正加快NXE 3300B实用机型的发货。 据说已经有6台NXE 3100 EUV设备在客户处使用，累积产出硅片已达44000片。另外，下一代EUV设备NXE 3300B已开始安装调试，计划2013年共发货5台，另有11台NXE 3300B的订单在手及7台订单在讨论中。 ASML正在准备450mm光刻机，它是客户共同投资计划中的一部分。公司有信心将3台EUV的营收落实在2013年的销售额之中。 ASML在2013年展览会的演讲中详细描绘了业界期待已久的EUV光源路线图，近期Cymer公司已推出了专为ASML光刻机配置的40W极紫外(EUV)光源，工作周期高达每小时30片，并计划在2014年时NXE 3300B中的光源升级达到50W，相当于43WPH水平。而100W光源可能要等到2015年或2016年，相当于73WPH。至于何时出现250W EUV光源，至少目前无法预测，除非等到100W光源成功，并有出彩的表现。500W光源写进路线图中是容易的，但是未来能否实现还是个问题。 只要实现73WPH，可以认为EUVL已达到量产水平，因为与多次曝光技术相比，它的成本在下降。在10nm节点以下如果继续釆用MP多次曝光技术，则可能需要4x甚至8x的图形成像技术。 因为从理论上讲，硅晶格大小约0.5nm，通常大于10个晶格尺寸，即约5nm时，才可能有好的硅器件功能，所以可以认为5nm是工艺尺寸的最终极限。预测在2024年以后半导体产业可能发生革命性变化，电荷不再是传输信息的唯一载体，同时计算架构也可能发生革命。 另外，ASML、IMEC及Applied Materials等共同协作，认为采用EUV技术有可能达到小于7nm，由于EUV技术同样也可采用DP两次图形曝光技术来提高分辨率。 随着半导体产业的继续发展，之后的每一个工艺节点进步都要付出极大的代价，要求达到财务平衡的芯片产出数量巨大。现在市场上已很难找出几种能相容的产品，因此未来产业面临的经济层面压力会越来越大。然而除了尺寸缩小之外，产业尚有多条路可供选择，如450mm硅片、TSV 3D封装，FinFET结构与III-V族作沟道材料等，此外还有应用商店。而站在客户立场，他们并非知道芯片的内部构造，仅是需要价廉、实用，而又方便使用的电子终端产品。

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