半导体的四个特性是什么？

半导体的四个特性：电阻率的负温度特性、光照导电效应、光伏现象、整流效应。

1833年，法拉第发现了硫化银的电阻随着温度的变化而显现出的特性与一般金属不同。通常情况下，金属的电阻随温度升高而增加，法拉第发现硫化银的电阻随着温度的上升而降低。这是人类首次发现的半导体现象。

1839年，法国科学家亚历山大·贝克雷尔（Alexandre Edmond Becquerel）发现了光伏现象。那是一个半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生电压，这是半导体的第二个特征。

1873年，英国科学家史密斯（W.Smith）发现了硒晶体材料在光照下电阻减弱的现象，这是半导体第三个特性。

1880年，半导体的霍尔效应被发现。

1874年，德国的布劳恩（Ferdinand Braun）发现了硫化物半导体的整流效应。同年，氧化铜的整流效应也被发现。

特征温度是固体的一个重要物理量，它来源于固体的原子热振动理论。特征尺寸是指半导体器件中的最小尺寸。特征温度不仅反映晶体点阵的动畸变程度，还是该物质原子间结合力的表征，物质的许多物理量都与它有关系，如d性、硬度、熔点和比热等，所以研究德拜特征温度很有必要。特征尺寸在CMOS工艺中，特征尺寸典型代表为栅的宽度，也即MOS器件的沟道长度。一般来说，特征尺寸越小，芯片的集成度越高，性能越好，功耗越低。

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