陈星弼院士是谁？

　九三学社社员、中国科学院院士、电子科技大学教授陈星弼因病医治无效，于2019年12月4日17时10分在四川成都逝世，享年89岁。

陈星弼1931年1月28日出生于上海，祖籍浙江浦江，1947年至1952年就读于同济大学电机系，先后在厦门大学、东南大学和成都电讯工程学院（现电子科技大学）工作。1999年当选为中国科学院院士，2019年当选为国际电气与电子工程师协会终身会士（IEEE Life Fellow）。

陈星弼是我国功率半导体领域的领路人和集大成者。他发表超过200篇学术论文，获得中美等国专利授权40余项。他是国际上首个提出超结耐压层理论的科学家，他的超结发明专利打破传统“硅极限”，被国际学术界誉为"高压功率器件新的里程碑"。该发明专利成功转让并实现产业化，目前超结器件全球年市场销售额超过10亿美元。

陈星弼曾获得诸多荣誉，包括国家发明奖及科技进步奖2项，省部级奖励13项。2015年获得IEEE ISPSD颁发的最高荣誉“国际功率半导体先驱奖”，成为亚太地区首位获此殊荣的科学家。2018年入选IEEE ISPSD首届名人堂，成为首位入选名人堂的华人科学家。

近年来，越来越多的人认识到了半导体大发展重要性，也发掘出不少的相关企业。在半导体细分领域有这么一家龙头公司，关于扬杰科技公司，我们一起来了解一下。

扬杰科技是一家集研发、生产、销售于一体，专业致力于功率半导体芯片及器件制造、集成电路封装测试等中高端领域的产业发展的公司。

主营产品为各类电力电子器件芯片、MOSFET、IGBT及碳化硅SBD、碳化硅JBS、大功率模块、小信号二三极管、功率二极管、整流桥等，产品广泛应用于5G、电力电子、消费类电子、安防、工控、汽车电子、新能源等诸多领域。

扬杰科技的功率二极管是功率分立器件中技术最为成熟的产品之一。二极管是一种使用半导体材料制作而成的单向导电性二端器件，因其只允许电流从单一方向流过的特性而被广泛应用于整流场景，是最常用的电子元件之一。

半导体二极管是最早出现的半导体分立器件之一，将其与电阻、电容、电感等多种元器件进行合理的组合连接，可构成具有不同功能的电路。这些电路可实现对交流电的整流，对调制信号的建波、限幅、钳位及对电源电压的稳压等多种功能。

另外扬杰科技借助芯片自研设计能力，进军MOSFET和IGBT等高端功率器件领域。在MOSFET领域，公司持续扩充产品设计研发团队人员，研发设计能力得到持续增强，已形成批量的Trench MOSFET和SGT MOS系列产品。

目前公司在立足现有市场、产品的同时，持续加大研发投入，全力推进高端功率MOSFET、IGBT等新产品的研发及产业化，进一步优化公司的产品结构，促进公司整体效益的提升。

据了解，扬杰科技转型制造生产后，非常注重技术创新，引进台湾技术团队，从银行贷款，建设了属于自己的晶圆产线，构建了特色化和高端化的产品结构。

持续的研发投入和技术创新，就是扬杰科技的内生增长之路。近两年，公司的研发投入占比都维持在5%左右。目前，其获得了近270项国家专利。

现在，扬杰科技不仅在半导体功率器件领域做到了世界领先地位，还进军高端领域，其业务现延伸至国际市场。

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