黄令仪是否是中国科学院院士

是。

黄令仪是当时我国为数不多的半导体专业的领军女科学家。

1936年生于广西南宁的黄令仪，于1958年从华中科技大学毕业，而她研修的主要课题是关于半导体器件，后来她还参与过“两d一星”相关项目芯片研发。

黄令仪的科研之路始终都在和各种各样的电子管打交道，从二极管到简陋的三极管，到大规模的集成电路，再到由中国自主研发设计的第一枚芯片，每一步都有她的身影。

1960年黄令仪在母校留校任教，并创建半导体专业，率领着年轻的教职工和学生们成立研究半导体二极管的实验室。

黄令仪就是在这样艰苦的环境下带领着年轻的学生们进行实践探索，遇山开山，遇水淌水，居然真的凭借一己之力研究出半导体二极管，得到各界的赞誉，当时的科学院长郭沫若都对他们的成果表示由衷的鼓励。

又在82岁时成功研制新一代的“龙芯3号”，打破美国严密防护多年的技术，挽回我国的亿万市场，如今中国国内芯片行业的蓬勃发展，可以说离不开黄令仪院士的辛勤奉献。

40年代首次提出固体中杂质缺陷导致 X光漫散射的理论（被誉为黄散射），证明了无辐射跃迁绝热近似和静态耦合理论的等价性，澄清了这方面的一些根本性问题。

他和学生详细分析了Ⅲ-Ⅴ族化合物的量子阱和超晶格的空穴带的电子状态，发展了一种适用于超晶格结构的简单有效的计算方法，从而对量子阱和超晶格结构中空穴子带的性质、价带杂化和外加电场等对量子阱和超晶格中激子吸收的影响做了理论计算。他和学生系统研究了超晶格中的长波光学振动模式，指出流行的连续介电模型的结果是不对的，基于他在1951年提出的偶极振子晶格模型，他们提出了一个能描述迄今了解的实验事实的理论模型，得到了在一维和二维的量子系统中纵向光学振动和横向光学振动的类体模的正确描述。他们的这项工作对理解半导体超晶格的光学性质、光散射效应、电子和格波的相互作用起到了重要作用。黄昆与朱邦芬提出的超晶格光学声子模式，被称为“黄—朱模型”。

黄昆受到爱丁堡大学玻恩教授（M.Born）的赏识，被邀合著《晶格动力学》一书。这本专著至今仍是固体物理学领域的权威著作，从1975年至2001年3月，该书的英文版被引用5254次，俄文版被引用376次，平均每年200多次。

除了撰写《晶格动力学》，这段时间黄昆还连续完成了两项开拓性的学术贡献。一项是提出著名的“黄方程”和“声子极化激元”概念，另一项是与后来成为他妻子的里斯（A.Rhys，中文名李爱扶）共同提出的“黄－里斯理论”。他与妻子在1950年合写的这篇论文，至今仍是在这个领域工作的科学家们必引的经典文献。前不久检索发现，从1975年以来，这篇文章被他人在SCI刊物引用734次，其中1994年以后被引用240次，平均每年20多次。 1956年暑期，北京大学、复旦大学、南京大学、厦门大学和吉林大学五校，在北京大学联合开办中国第一个半导体专业，黄昆任主任、谢希德为副主任。在黄昆、谢希德领导下，五校师生团结协作，先后开设了固体物理、半导体物理、半导体实验、半导体材料、晶体管电路、半导体器件等全面的半导体专业课程，并于1957年和1958年培养出200多名首批半导体专业毕业生。这些学生成为中国新兴半导体事业的第一批骨干，对中国从无到建立和发展半导体科学技术工业体系起了重要作用。随后，全国许多高校纷纷开设了半导体专业，还建立了研究所和生产半导体材料和器件的车间，使中国半导体学科和半导体技术独立自主地发展起来。 学生：秦国刚院士。 甘子钊、秦国刚、夏建白等好几位当选为中国科学院院士。

黄昆把自己的一生科学研究经历归结为：一是要学习知识，二是要创造知识。对做科学研究工作的人来讲，归根结底在于创造知识。而学习知识与创造知识，黄昆从自己的切身经历和观察别人的经验教训，归纳出两句名言：

（1）“学习知识不是越多越好，越深越好，而是要服从于应用，要与自己驾驭知识的能力相匹配。”

（2）“对于创造知识，就是要在科研工作中有所作为，真正做出点有价值的研究成果。为此，要做到三个‘善于’，即要善于发现和提出问题，尤其是要提出在科学上有意义的问题；要善于提出模型或方法去解决问题，因为只提出问题而不去解决问题，所提问题就失去实际意义；还要善于作出最重要、最有意义的结论。”这两句名言确实是黄昆的经验之谈，我们应当作座右铭而牢记。 提出固体中杂质缺陷导致X射线漫散射的理论，被称为“黄散射”，黄昆受到爱丁堡大学玻恩教授（M.Born）的赏识，被邀合著《晶格动力学》一书。这本专著至今仍是固体物理学领域的权威著作，与里斯共同提出了多声子的辐射和无辐射跃迁的量子理论；同期佩卡尔发表了相平行的理论，被国际上称为“黄-佩卡尔理论”或“黄-里斯理论”；提出了晶体中声子与电磁波的耦合振荡模式，当时提出的方程，被称为“黄方程”；研究半导体量子阱超晶格物理。建立超晶格光学振动的理论，发表了后来被国际物理学界称为“黄－朱模型”的理论，多本国外的研究生教材详细介绍了这个理论。

1947年，美国贝尔实验室发明了半导体点接触式晶体管，从而开创了人类的硅文明时代。

1956年，我国提出“向科学进军”，根据国外发展电子器件的进程，提出了中国也要研究半导体科学，把半导体技术列为国家四大紧

急措施之一。中国科学院应用物理所首先举办了半导体器件短期培训班。请回国的半导体专家黄昆、吴锡九、黄敞、林兰英、王守武、

成众志等讲授半导体理论、晶体管制造技术和半导体线路。在五所大学――北京大学、复旦大学、吉林大学、厦门大学和南京大学联合在北京大学开办了半导体物理专业，共同培养第一批半导体人才。培养出了第一批著名的教授：北京大学的黄昆、复旦大学的谢希德、吉林大学的高鼎三。

1957年毕业的第一批研究生中有中国科学院院士王阳元（北京大学微电子所所长）、工程院院士许居衍（华晶集团中央研究院院长）和电子工业部总工程师俞忠钰（北方华虹设计公司董事长）。

1957年，北京电子管厂通过还原氧化锗，拉出了锗单晶。中国科学院应用物理研究所和二机部十局第十一所开发锗晶体管。当年，中国相继研制出锗点接触二极管和三极管（即晶体管）。

1958年，美国德州仪器公司和仙童公司各自研制发明了半导体集成电路（IC）之后，发展极为迅猛，从SSI（小规模集成电路）起步，经过MSI（中规模集成电路），发展到LSI大规模集成电路），然后发展到现在的VLSI（超大规模集成电路）及最近的ULSI（特大规模集成电路），甚至发展到将来的GSI（甚大规模集成电路）

，届时单片集成电路集成度将超过10亿个元件。1959年，天津拉制出硅（Si）单晶。

1960年，中科院在北京建立半导体研究所，同年在河北建立工业性专业化研究所――第十三所（河北半导体研究所）。

1962年，天津拉制出砷化镓单晶（GaAs），为研究制备其他化合物半导体打下了基础。

1962年，我国研究制成硅外延工艺，并开始研究采用照相制版，光刻工艺。

1963年，河北省半导体研究所制成硅平面型晶体管。

1964年，河北省半导体研究所研制出硅外延平面型晶体管。

1965年12月，河北半导体研究所召开鉴定会，鉴定了第一批半导体管，并在国内首先鉴定了DTL型（二极管――晶体管逻辑）数字逻辑电路。

1966年底，在工厂范围内上海元件五厂鉴定了TTL电路产品。这些小规模双极型数字集成电路主要以与非门为主，还有与非驱动器、与门、或非门、或门、以及与或非电路等。标志着中国已经制成了自己的小规模集成电路。

1968年，组建国营东光电工厂（878厂）、上海无线电十九厂，至1970年建成投产，形成中国IC产业中的“两霸”。

1968年，上海无线电十四厂首家制成PMOS（P型金属－氧化物半导体）电路（MOSIC）。拉开了我国发展MOS电路的序幕，并在七十年代初，永川半导体研究所（现电子第24所）、上无十四厂和北京878

厂相继研制成功NMOS电路。之后，又研制成CMOS电路。

七十年代初，IC价高利厚，需求巨大，引起了全国建设IC生产企业的热潮，共有四十多家集成电路工厂建成，四机部所属厂有749厂（永红器材厂）、871（天光集成电路厂）、878（东光电工厂）、4433

厂（风光电工厂）和4435厂（韶光电工厂）等。各省市所建厂主要有：上海元件五厂、上无七厂、上无十四厂、上无十九厂、苏州半导体厂、常州半导体厂、北京半导体器件二厂、三厂、五厂、六厂、天津半导体（一）厂、航天部西安

691厂等等。

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