退火的目的:
1、降低硬度,改善切削加工性。
2、残余应力,稳定尺寸,减少变形与裂纹倾向。
3、细化晶粒,调整组回织答,组织缺陷。
4、均匀材料组织和成分,改善材料性能或为以后热处理做组织准备。
半导体退火:
半导体芯片在经过离子注入以后就需要退火。因为往半导体中注入杂质离子时,高能量的入射离子会与半导体晶格上的原子碰撞,使一些晶格原子发生位移,结果造成大量的空位。
将使得注入区中的原子排列混乱或者变成为非晶区,所以在离子注入以后必须把半导体放在一定的温度下进行退火,以恢复晶体的结构和消除缺陷。
同时,退火还有激活施主和受主杂质的功能,即把有些处于间隙位置的杂质原子通过退火而让它们进入替代位置。退火的温度一般为200~800C,比热扩散掺杂的温度要低得多。
以上内容参考:百度百科——退火 、百度百科——退火处理
以上情况务必根据制程和产品规范要求执行 *** 作,如无相关规范或规范未必细述必要向工程部门提出ECN 工程修改通知。假设硅原材长期(超过720小时)真空下温度300度50度来回退火则特性肯定重大影响。
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