为什么半导体发光器件常用直接间隙半导体材料制作

因为直接能隙半导体材料的辐射复合几率很大，而间接带隙半导体则否。

因为直接能隙半导体材料中的电子、空穴复合时，没有动量的改变，则不需要第三者参与，故能量都可以发光的形式释放出来——发光强度大。

但是间接能隙半导体材料中的电子、空穴的复合，有动量的改变，则必须要有第三者（主要是声子）参与，故能量几乎不能以发光的形式释放出来——发光强度非常低。

宽带隙半导体，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

室温下，Si的带隙为1.1eV，GaAs的带隙为1.43eV，一般把室温下带隙大于2.0eV的半导体材料归类于宽带隙半导体，宽带隙半导体在蓝、紫光和紫外光电子器件，高频、高温、高功率电子器件及场发射器件方面应用广泛。

---