半导体二极管的特性曲线分哪几个区 谢谢

整个二极管的特性曲线分为正向特性曲线和反向特性曲线,正向特性曲线又分为两段,流过电流极小的那一段为正向截止区,另一段就是电流较大,并电流随电压变化非常迅速的那一段为.正向导通区.反向物曲线又分为两段,随着电压增大而流过电流极小的那一段为反向截止区.还有一段电流大且电流随电压变化非常迅速的那一段为反向击穿区

能实现通、断变换半导体有如三极管，MOSFET，SSR等，它们的导通特性基本相同：如MOSFET 金属-氧化层半导体场效晶体管，简称金氧半场效晶体管（Metal-Oxide-SemiconductorField-Effect Transistor, MOSFET）

导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。

NMOS的特性，Vgs大于一定的值就会导通，适合用于源极接地时的情况(低端驱动)，只要栅极电压达到4V或10V就可以了。

PMOS的特性，Vgs小于一定的值就会导通，使用与源极接VCC时的情况(高端驱动)。但是，虽然PMOS可以很方便地用作高端驱动，但由于导通电阻大，价格贵，替换种类少等原因，在高端驱动中，通常还是使用NMOS。

个NMOS晶体管的立体截面图左图是一个N型 MOSFET（以下简称NMOS）的截面图。如前所述，MOSFET的核心是位于中央的MOS电容，而左右两侧则是它的源极与漏极。源极与漏极的特性必须同为N型（即NMOS）或是同为P型（即PMOS）。右图NMOS的源极与漏极上标示的“N+”代表著两个意义：⑴N代表掺杂（doped）在源极与漏极区域的杂质极性为N；⑵“+”代表这个区域为高掺杂浓度区域（heavily doped region），也就是此区的电子浓度远高于其他区域。在源极与漏极之间被一个极性相反的区域隔开，也就是所谓的基极（或称基体）区域。如果是NMOS，那么其基体区的掺杂就是P型。反之对PMOS而言，基体应该是N型，而源极与漏极则为P型（而且是重（读作zhong）掺杂的P+）。基体的掺杂浓度不需要如源极或漏极那么高，故在右图中没有“+”。

对这个NMOS而言，真正用来作为通道、让载流子通过的只有MOS电容正下方半导体的表面区域。当一个正电压施加在栅极上，带负电的电子就会被吸引至表面，形成通道，让N型半导体的多数载流子—电子可以从源极流向漏极。如果这个电压被移除，或是放上一个负电压，那么通道就无法形成，载流子也无法在源极与漏极之间流动。

假设 *** 作的对象换成PMOS，那么源极与漏极为P型、基体则是N型。在PMOS的栅极上施加负电压，则半导体上的空穴会被吸引到表面形成通道，半导体的多数载流子—空穴则可以从源极流向漏极。假设这个负电压被移除，或是加上正电压，那么通道无法形成，一样无法让载流子在源极和漏极间流动。

特别要说明的是，源极在MOSFET里的意思是“提供多数载流子的来源”。对NMOS而言，多数载流子是电子；对PMOS而言，多数载流子是空穴。相对的，漏极就是接受多数载流子的端点。

在半导体中导通电压与开启电压有啥区别:

（1）昌体管变改基极电压、电流可以改变集电极与发射极之间的电流变化。

（2）硅三极管的基极电压低于0.7V，晶体管趋于截止状态集电极与发射极之间的电阻保持无穷大。基极电压到0.7V，这时集电极与发射极开始导通，这基极这一电压特性叫晶体管的开启电压。

（3）晶体管从刚开始导通到全部导通之间还有一个工作三角处，模拟电路就是晶体工作在这一三角区域，晶体管要跨过三角工作处才是全导通。

（4）施加基极电压使晶体管跃过模拟特性三角处，使晶体管全部导通的基极电压，叫做导通电压。

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