半导体pn型的测定有几种方法

通常是用霍尔效应来测量。霍尔效应是指在磁场中，通电导体会出现横向电压的现象，详细可以到百度百科去查。

多子为电子的n型和多子为空穴的p型半导体，由于载流子的正负属性不同，会使横向电压方向不同，从而可以测出类型。

根据霍尔效应原理，在满足电流方向垂直于与磁场线方向，载流子会受洛伦兹力的影响，（洛伦兹力的方向都垂直于电流，电场力的方向，且方向由左手定则判断，左力右电吧这个方法），故在这两个相反的方向的面上，会形成霍尔电压。若载流子带正电荷，则为p型半导体（空穴型），若为负电荷，则为n型半导体（电子型）。

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