一、名词解释：
wafer：晶圆；是指硅半导体集成电路制作所用的硅晶片，由于其形状为圆形。
chip：芯片；是半导体元件产品的统称。
die：裸片 ；是硅片中一个很小的单位，包括了设计完整的单个芯片以及芯片邻近水平和垂直方向上的部分划片槽区域。
二、联系和区别：
一块完整的wafer
wafer为晶圆，由纯硅（Si）构成。一般分为6英寸、8英寸、12英寸规格不等，晶片基于wafer上生产出来。Wafer上一个小块晶片晶圆体学名die，封装后成为一个颗粒。一片载有Nand Flash晶圆的wafer首先经过切割，测试后将完好的、稳定的、足容量的die取下，封装形成日常所见的Nand Flash芯片。
die和wafer的关系
品质合格的die切割下去后，原来的晶圆成了下图的样子，是挑剩下的Downgrade Flash Wafer。残余的die是品质不合格的晶圆。黑色的部分是合格的die，会被原厂封装制作为成品NAND颗粒，而不合格的部分，也就是图中留下的部分则当做废品处理掉。
筛选后的wafer
扩展资料：
集成电路芯片的生命历程：芯片公司设计芯片——芯片代工厂生产芯片——封测厂进行封装测试——整机商采购芯片用于整机生产。
芯片供应商IDM：是集芯片设计、制造、封装和测试等多个产业链环节于一身的企业。
芯片供应商Fabless：是没有芯片加工厂的芯片供应商，Fabless自己设计开发和推广销售芯片，与生产相关的业务外包给专业生产制造厂商。与Fabless相对应的是Foundry和封测厂，主要承接Fabless的生产和封装测试任务，封测厂有日月光，江苏长电等。
参考资料：百度百科-晶圆
百度百科-芯片
百度百科-裸片
M6标记的是S9015三极管，可以用2TY（S8550）或2A（2N3906）代替。
2A表示最常用的MMBT3906，MMBT3906是一颗通用晶体管。
L6型号为“BSS69R”。PNP型高频小功率三极管，Vceo=40V、Ic=100mA、Pc=330mW、HFE=30-150、FT=200MHz、SOT-23封装。
扩展资料：
电子三极管Triode（俗称电子管的一种）
双极型晶体管 BJT（BipolarJunctionTransistor）
J型场效应管 JunctiongateFET（FieldEffectTransistor）
金属氧化物半导体场效应晶体管MOSFET(MetalOxideSemi-ConductorFieldEffectTransistor)英文全称
V型槽场效应管VMOS（VerticalMetalOxideSemiconductor）
注：这三者看上去都是场效应管，其实金属氧化物半导体场效应晶体管、V型槽沟道场效应管是单极（Unipolar）结构的，是和双极（Bipolar）是对应的，所以也可以统称为单极晶体管（UnipolarJunctionTransistor）。
其中J型场效应管是非绝缘型场效应管，MOSFET和VMOS都是绝缘型的场效应管。
VMOS是在MOS的基础上改进的一种大电流，高放大倍数（跨道）新型功率晶体管，区别就是使用了V型槽。
使MOS管的放大系数和工作电流大幅提升，但是同时也大幅增加了MOS的输入电容，是MOS管的一种大功率改进型产品，但是结构上已经与传统的MOS发生了巨大的差异。VMOS只有增强型的而没有MOS所特有的耗尽型的MOS管。
参考资料来源：百度百科-三极管
参考资料来源：百度百科-电子电路识图速成全图解
B 为硅材料，T为大功率晶闸管，169为登记序号。
其它的晶闸管的意义识别也是有方法的：国产晶闸管的型号命名（JB1144-75部颁发标准）主要由四部分组成，各部分的含义见下表：
1、第一部分用字母“K”表示主称为晶闸管。
2、第二部分用字母表示晶闸管的类别。
3、第三部分用数字表示晶闸管的额定通态电流值。
4、第四部分用数字表示重复峰值电压级数。
拓展资料：
选用可控硅的额定电压时，应参考实际工作条件下的峰值电压的大小，并留出一定的余量。
1、选用可控硅的额定电流时，除了考虑通过元件的平均电流外，还应注意正常工作时导通角的大小、散热通风条件等因素。在工作中还应注意管壳温度不超过相应电流下的允许值。
2、使用可控硅之前，应该用万用表检查可控硅是否良好。发现有短路或断路现象时，应立即更换。
3、严禁用兆欧表（即摇表）检查元件的绝缘情况。
4、电流为5A以上的可控硅要装散热器，并且保证所规定的冷却条件。为保证散热器与可控硅管心接触良好，它们之间应涂上一薄层有机硅油或硅脂，以帮于良好的散热。
5、按规定对主电路中的可控硅采用过压及过流保护装置。
6、要防止可控硅控制极的正向过载和反向击穿。
参考资料：百度百科-晶闸管
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