为什么要用单晶做基片

1.单晶的结构特殊。单晶作为一种晶体，其内部结构在空间的排列上长程有序。并且它的整个晶体是连续的、均匀的，是非常理想的工业材料，所以用单晶做基片效果更好。

2.可以与多种晶格常数匹配。单晶的晶格常数与III-V族化合物固溶体等多种晶格常数匹配。所以用单晶作为基片可以用来制造某些适合红外光纤传输的激光器和探测器。

3.单晶的制备技术比较成熟，用单晶作为基片成本较低。

资料拓展:单晶的制备方法包括溶液生长、水热生长、熔盐法和熔体法等多种方法。比较常见的单晶制备技术有提拉法，区熔法，定向凝固法等。

①热处理温度要求：650±5℃；

②热处理目的：还原直拉单晶硅片真实电阻率；

1、热处理后电阻率会有什么变化

由于氧是在大约1400℃引入硅单晶的，所以在一般器件制造过程的温度范围（≤1200℃），以间隙态存在的氧是处于过饱和状态的，这些氧杂质在器件工艺的热循环过程中由于固溶度的降低会产生氧沉淀。一般而言，氧浓度越高，氧沉淀越易成核生长，形成的氧沉淀也就越多。反之，氧沉淀就越少。尤其是当氧浓度小于一定值时（＜5×1017个/厘米3），几乎就观察不到氧沉淀的形成。

2、热处理的几个温度区间概念：

热施主：350-550℃，代表温度450℃.

450℃热处理后（或同等效果，如单晶在炉子里的冷却），可观察到N型样品的电阻率下降而P型样品的电阻率增高，有如引入一定数量的施主现象一样。这是由于在此温度下，溶解的氧原子迅速形成络合物（SiO4）所引起的热生施主，其电阻率与硅中氧含量的四次方成反比。

新施主：550-800℃，代表温度650℃.

650℃热处理，在迅速冷却的条件下（即迅速跨过450℃），可消除热生施主。即我们可观察到N型样品电阻率恢复高；P型样品电阻率恢复低。

沉淀：800-1200℃，代表温度1050℃

1050℃热处理，会带来氧沉淀，且因沉淀诱生层错等缺陷。

还原：＞1200℃

＞1200℃热处理，氧恢复到间隙态。

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