B.Ge在金属元素与非金属元素的分界线附近的元素,可作半导体材料,故B正确;
C.Se为非金属,不导电,不能作半导体材料,故C错误;
D.Zn为活泼金属元素,为电的良导体,不能作半导体材料,故D错误;
故选B.
就是在金属能带理论中,金属禁带宽度最小,半导体其次,绝缘体最大。 宽度大说明电子不能或者不易跃迁,小则相反,所以半导体一般就位于之间喽,不过也不是一定如此,如果s与p轨道相距很近也是可以导电的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
B.Ge在金属元素与非金属元素的分界线附近的元素,可作半导体材料,故B正确;
C.Se为非金属,不导电,不能作半导体材料,故C错误;
D.Zn为活泼金属元素,为电的良导体,不能作半导体材料,故D错误;
故选B.
就是在金属能带理论中,金属禁带宽度最小,半导体其次,绝缘体最大。 宽度大说明电子不能或者不易跃迁,小则相反,所以半导体一般就位于之间喽,不过也不是一定如此,如果s与p轨道相距很近也是可以导电的。欢迎分享,转载请注明来源:内存溢出
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