请问IC先生提供的半导体器件都有哪些？

提供的电子元器件种类有很多，当然也包括常见的半导体器件，具体的种类如下：

电阻器、电容器、电感器、二极管、三极管、晶体管、晶圆、半导体、传感器、继电器、谐振器、晶振器、滤波器、耦合器、电位器、保护器件、调谐器、光学元件、媒体音频元件、射频元件、抑制元件、磁性元件、巴伦器、多工器、处理器&控制器、变压器、转换器、隔离器、驱动器、发生器、稳压器、收发器、放大器、存储器、比较器、触摸屏、电源、打印机、电子材料、高可靠器件、集成电路、接口、电池、天线。

基本的半导体器件主要有以下几种：pn结二极管，金属氧化物场效应晶体管（MOS）,双极晶体管（BJT）,结型场效应晶体管。pn结二极管结构：其中pn结二极管由n型半导体和p型半导体接触产生。工作原理：由于二者接触后产生由n型半导体指向p型半导体的内建电场，当外加电压由n型半导体指向p型半导体时进一步增强了其内建电场，因而其电流会很小，当外加电压由p型指向n型时，内建电场降低，电流可顺利通过pn结，形成单向导电的特性。MOS结构：主要由栅极，漏极及源极三部分构成。工作原理：通过栅极控制沟道载流子浓度实现对源极及漏极电流的控制。BJT结构：由发射极，基极，集电极构成。基本原理：通过控制发射极与基极之间的电压以及集电极与基电极之间的电压实现电流的放大，截至等效应。结型场效应晶体管：与MOS构成类似，不同点仅在于其栅极位于沟道的上下两侧。工作原理：上下栅极同时控制沟道的载流子浓度及沟道的宽度实现对电流的控制。

电路保护中，常用的保护元器件有：TVS二极管、ESD静电保护二极管、陶瓷气体放电管、玻璃放电管、自恢复保险丝、半导体放电管、压敏电阻等等。

瞬态TVS抑制二极管

瞬态抑制器TVS二极管广泛应用于半导体及敏感器件的保护，通常用于二级保护，用在陶瓷气体放电管之后的二级保护，也可直接用于产品的一级保护。其特点为反应速度快(为 ps 级) 、小体积、脉冲功率大 、箝位电压低等。其 10/1000μs波脉冲功率从200W ～30KW，脉冲峰值电流从 0.52A～544A ，击穿电压从6.8V～550V，便于各种不同电压的电路使用。

压敏电阻

压敏电阻的响应时间为ns级，比空气放电管快，比TVS管稍慢一些，一般情况下用于电子电路的过电压保护。压敏电阻的结电容一般在几百到几千pf的数量级范围，不宜直接应用在高频信号线路的保护中，应用在交流电路的保护中时，因为其结电容较大会增加漏电流，在设计防护电路时需要充分考虑。压敏电阻的通流容量较大，但比气体放电管小。贴片压敏电阻主要用于保护元件和电路，防止在电源供应、控制和信号线产生的ESD。

陶瓷气体放电管

防雷器件中应用最广泛的是陶瓷气体放电管，无论是直流电源的防雷还是各种信号的防雷，陶瓷气体放电管都能起到很好的防护作用。其最大的特点是通流量大，级间电容小，绝缘电阻高，击穿电压可选范围大。

半导体放电管

半导体放电管是一种过压保护器件，是利用晶闸管原理制成的，依靠PN结的击穿电流触发器件导通放电，可以流过很大的浪涌电流或脉冲电流。其击穿电压的范围，构成了过压保护的范围。固体放电管使用时可直接跨接在被保护电路两端。具有精确导通、快速响应（响应时间ns级）、浪涌吸收能力较强、双向对称、可靠性高等特点。

玻璃放电管

玻璃放电管（强效放电管、防雷管）是20世纪末新推出的防雷器件，它兼有陶瓷气体放电管和半导体过压保护器的优点：绝缘电阻高（≥10^8Ω）、极间电容小（≤0.8pF）、放电电流较大（最大达3 kA）、双向对称性、反应速度快（不存在冲击击穿的滞后现象）、性能稳定可靠、导通后电压较低，此外还有直流击穿电压高（最高达5000V）、体积小、寿命长等优点。其缺点是直流击穿电压分散性较大（±20%）。

自恢复保险丝

自恢复保险丝PPTC就是一种过流电子保护元件，采用高分子有机聚合物在高压、高温，硫化反应的条件下，搀加导电粒子材料后，经过特殊的工艺加工而成。电路正常工作时它的阻值很小（压降很小），当电路出现过流使温度升高时，阻值急剧增大几个数量级，使电路中的电流减小到安全值以下，从而使后面的电路得到保护，过流消失后自动恢复为低阻值。

ESD静电放电二极管

ESD静电放电二极管是一种过压、防静电保护元件，是为高速数据传输应用的I/O端口保护设计的器件。ESD静电二极管是用来避免电子设备中的敏感电路受到ESD(静电放电)的影响。可提供非常低的电容，具有优异的传输线脉冲（TLP）测试，以及IEC6100-4-2测试能力，尤其是在多采样数高达1000之后，进而改善对敏感电子元件的保护。

电路保护器件

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