为什么锗半导体最先得到应用，而现在的半导体材料却大都采用硅半导体

原子半径小，线路可以做很细。硅是单晶，化学性质稳定。

高压下硅半导体的压降比锗小得多，所以电力电子都是用硅。

锗一般用于电子电路中的单个晶体管，在电子设备的电压等级之下，锗的压降更小，电阻也更小，适合做电子设备的开关管。

因为硅的禁带宽度比锗的大，且在相同温度下，锗的本征激发强于硅，很容易就达到较高的本征载流子浓度，使器件失去性能。在通常情况下，要使硅激发的本征载流子浓度接近掺杂电离的载流子浓度，所需的温度就要高于同样情况下的锗。所以，硅半导体器件比锗半导体的器件工作温度高。

扩展资料：

半导体禁带宽度与温度和掺杂浓度等有关：半导体禁带宽度随温度能够发生变化，这是半导体器件及其电路的一个弱点（但在某些应用中这却是一个优点）。半导体的禁带宽度具有负的温度系数。例如，Si的禁带宽度外推到0K时是1.17eV，到室温时即下降到1.12eV。

禁带宽度对于半导体器件性能的影响是不言而喻的，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；对于BJT，当发射区因为高掺杂而出现禁带宽度变窄时，将会导致电流增益大大降低。

参考资料来源：百度百科-锗半导体

参考资料来源：百度百科-半导体禁带宽度

结构是相同的。但是问题不是出在这里。

想要弄明白这个问题，首先要了解能带理论。

简单介绍一下能带理论

能带理论是对金属而言的，最简单的是锂。能带理论是对金属晶体运用分子轨道理论宏观表现。

把所有锂原子的2s能级线性组合，形成一个导带和价带。对于锂金属晶体而言，价带正好填满，导带是空的。金属的导带和价带没有能量差，所以电子可以在价带和导带自由跃迁。所以是导电的。

可以把金刚石，硅，锗，都利用相似的方法来看。他们都是sp3杂化的，把这些sp3轨道线性组合生成分子轨道-成键sigma和反键sigma。价带（成键sigma）正好是填满的，导带（反键sigma）是空的。但是对于金刚石而言，导带和价带之间的能量差是5.5eV，是非常大的。所以是不导点的。顺着这一族元素往下走，能级差越来越小，到硅，锗已经是半导体。在往下锡，铅就是导体（金属）了。

如果你在读高中或者初中的话，应该还没法理解，就作为课外兴趣读读吧。如果你在读大学的话，翻阅相关的化学书，找一下能带理论的部分读读。

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