ITO膜在LED中的作用

ITO膜在LED中的作用是增加了光透过率：

ITO的微观结构。在SnO2中加入Sn后，Sn元素可以在铟镓晶格中取代，以SnO2的形式存在。由于In2O3中的in元素是三价的，当形成SnO2时，电子将贡献给导带。

同时，在一定的缺氧条件下产生氧空穴，形成载流子浓度为1020～1021CM-3，迁移率为10~30cm／vs.该机制提供了10-4Ω量级的低膜电阻率。

所以ITO薄膜具有半导体的导电性。Ito是一种宽能带薄膜，其禁带宽度为3.5-4.3ev。激发吸收阈值为3.75ev，相当于330nm波长。

因此，ITO薄膜的透射率很低。同时，由于载流子等离子体振动在近红外区域的反射，ITO薄膜在近红外区域的透光率也很低。

但ITO薄膜在可见光区域的透射率很好。由于材料本身特殊的物理和化学性质，ITO薄膜具有良好的导电性和可见光透过率。

扩展资料：

在国内，ITO薄膜设备的制造和发展是20世纪80年代开始的，主要是一些单体式的真空镀膜设备，由于ITO工艺和制成方法的限制，因此产品品质较差、产量较小，当时的产品主要用作普通的透明电极和太阳能电池等方面。

20世纪90年代初，随着LCD器件的飞速发展，对ITO薄膜产品的需求量也是急剧的增加，国内部分厂家纷纷开始从国外引进一系列整厂ITO镀膜生产线。

但由于进口设备的价格昂贵，技术服务不方便等因素，使许多厂商还是望而却步。80年代末，中国诞生了第一条TN-LCD用ITO连续镀膜生产线。

该生产线采用的工艺路线是将铟锡合金材料利用直流磁控溅射的原理沉积到基片的表面，并进行高温氧化处理，将铟锡合金薄膜转换成所需的ITO薄膜。

这种生产线的特点是设备的产能较低，质量较差，工艺调节复杂。90年代中期，随着国内LCD产业的发展，对ITO产品的需求量增大的同时，对产品的质量有了新的要求。

因此出现了第二代ITO镀膜生产线。该生产线不仅产量比第一代生产线有了大幅度的提升，同时由于直接采用ITO陶瓷靶材沉积ITO薄膜。

并兼容了射频磁控溅射沉积SiO2薄膜的工艺，使该生产线无论从产品的质量上、还是工艺可控性等方面与第一代生产线相比均有了质的飞跃。

参考资料来源：百度百科—ITO薄膜

在化学上，ITO 是Indium Tin Oxides的缩写。作为纳米铟锡 金属氧化物，具有很好的 导电性和透明性，可以切断对人体有害的 电子辐射、紫外线及 远红外线。因此，铟锡氧化物通常喷涂在玻璃、塑料及 电子显示屏上，用作 透明导电薄膜，同时减少对人体有害的电子辐射及紫外、红外。ITO 是一种N型 氧化物半导体- 氧化铟锡, ITO薄膜即铟锡氧化物半导体 透明导电膜，通常有两个性能指标： 电阻率和 透光率。在氧化物 导电膜中，以掺Sn的In2O3(ITO)膜的 透过率最高和导电性能最好，而且容易在酸液中 蚀刻出细微的图形，其中透光率达90%以上。ITO中其透光率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例来控制，通常SnO2:In2O3=1:9。目前ITO膜层之电阻率一般在5*10E-4左右，最好可达5*10E-5，已接近金属的电阻率，在实际应用时，常以 方块电阻来表征ITO的导电性能，其透过率则可达90%以上，ITO膜之透过率和阻值分别由In2O3与SnO2之比例控制，增加 氧化铟比例则可提高ITO之 透过率，通常SnO2: In2O3=1:9，因为 氧化锡之厚度超过200Å时，通常透明度已不够好---虽然导电性能很好。如用是电流平行流经ITO脱层的情形，其中d为膜厚，I为电流，L1为在电流方向上膜厚层长度，L2为在垂直于电流方向上的膜层长主，当电流流过方形 导电膜时，该层电阻R=PL1/dL2式中P为导电膜 之 电阻率，对于给定膜层，P和d可视为定值，P/d，当L1=L2时，怒火正方形膜层，无论方块大小如何，其电阻均为定值P/d，此即 方块电阻定义： R□=P/d，式中R□单位为：欧姆/□（Ω/□），由此可所出方块电阻与IOT膜层电阻率P和ITO膜厚d有关且ITO膜阻值越低，膜厚越大。目前在高档STN 液晶显示屏中所用ITO玻璃，其R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200nm，而一般低档TN产品的ITO玻璃R□为100-300Ω/□，膜厚为20-30nm。望采纳

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