半导体的禁带宽度大小对它的用途有何影响请举例说明

禁带宽度对于半导体器件性能的影响非常大，它直接决定着器件的耐压和最高工作温度；比如氮化镓禁带宽度很大，即便高温价带电子也很难吸收大于Eg的热辐射的能量跳变到导带，这样就能继续发挥半导体作用，同理因为跃迁能量较大，所以GaN更难被击穿，因此常用作高压耐高温器件，也有很高的抗辐射性能。另一方面，通过掺杂调节禁带宽度可以制作高电子迁移率晶体管（HEMT，High Electron Mobility Transistor）。这种器件及其集成电路都能够工作于超高频（毫米波）、超高速领域，原因就在于它采用了异质结及其中的具有很高迁移率的所谓二维电子气来工作的；而高迁移率的原因部分在于禁带宽度不同的半导体组成异质结。相关的东西很多，我也在学习之中，互勉~

半导体线宽产生原因是需要进行调制来传输信号的。根据查询相关公开信息显示，带宽指的是加载到激光器上的最高调制频率，超过这个频率，信号传输就会乱码。另外带宽与线宽是不一样的，线宽实际上是激光器的谱宽，通常对于不同种类不同应用的激光器会有线宽限制要求，调制分文直接调制和间接调制，通常低速（10G以下）采用直接调制，这种调制会导致线宽变宽，由于光纤色散作用，激光器谱宽变宽就会加剧色散，色散严重就会导致信号乱码，另外在附加说下还有间接调制方式，这种调制就是为了克服直接调制加剧色散而采用的新调制方式，通常有集成式的电吸收调制，还有外加比如铌酸锂调制器调制。

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