赵兴中的人物简历

1978.3- 1982.1：毕业于武汉大学物理系半导体物理专业，获理学学士学位

1982.3—1985.1： 师从王仁卉教授，在武汉大学物理系获理学硕士学位

1985.3—1989.7： 师从中科院院士柯俊教授，北京科技大学材料物理系获工学博士学位, 学位论文题目“TiNi形状记忆合金亚稳相转变研究”

1990.3--1995.4: 华中理工大学材料科学与工程系先后任讲师、副教授

作为项目实际负责人主持国家青年科学基金项目“颗粒表面分数维研究”和中国船舶工业总公司国防预研项目“超微粉红外特性研究”；参加国家科学基金项目“电弧等离子体法纳米粉制备研究”。

1995.4--1998.8: 美国宾州州大Pennsylvania State University 材料研究所先后任访问副教授、博士后研究员。

先后师从美国工程院院士、材料合成权威R.Roy教授和美国工程院院士、铁电材料权威L.E. Cross教授, 参加由美国国家科学基金(NSF)和美国海军研究署(ONR)共同资助项目“水热法合成金刚石研究”和“铁电共聚物电子束辐照改性研究”。

因在水热法研究中成绩突出，作为博士后研究员获NSF特别拨款 (SGER: Special Grant for Expedite Research) 支持。

参加ONR项目“铁电陶瓷/树脂基复合材料研究”。

1998.9--1999.7: 武汉大学物理系先后任教授、博士生导师,

1999.8--1999.10: 香港理工大学机敏材料研究中心任访问研究员，从事铁电陶瓷/树脂基复合材料和铁电高分子材料方面的合作研究，

1999.10--至今: 武汉大学物理系从事教学科研工作。

根据媒体的报道来看，在2022年6月23日的时候，中科院半导体所发布讣告：中国工程院院士、中国科学院半导体研究所研究员、我国著名半导体材料学家梁骏吾先生因病医治无效 在北京逝世，享年89岁。消息一出，梁骏吾院士生前的同事朋友以及一众网友们纷纷在社交平台上表示哀悼，说为我国曾有这样一位伟大的半导体材料专家而感到骄傲与自豪，为他的离开而感到遗憾。

梁骏吾于1955年从武汉大学物理专业毕业后，前往前苏联留学并获得了副博士的学位后，回国担任了中国科学院半导体研究所副室主任，后一直在为高纯硅研制工作而努力，并获得了1964年国家科委颁发的国家科技成果二等奖，由他研制的硅无坩埚区熔提纯设备获了1964年国家科委全国新产品二等奖。在1965年的时候他首次研制成功了中国国内第一只室温脉冲相干激光器用的砷化镓外延材料，为后续的发展奠定了坚实的基础。在20世纪80年代的时候他首创了掺氮中子嬗变区熔硅单晶，获得了1988年中科院科技进步一等奖，完成了硅中杂质以及外延中气体动力学与热力学耦合计算及微机控制光加热外延炉。

纵观梁骏吾院士的一生，可以看到他为我国的半导体材料的研制和发展付出了毕生的精力和心血，在他从事半导体材料科学研究工作这六十多年里面，他获得了多项荣誉，如1992年的时候获得了国家级有突出贡献中青年专家称号，在1997年的时候被评为中国工程院院士，先后荣获国家科委科技成果二等奖和新产品二等奖各1次，国家科技进步三等奖1次、中科院重大成果和科技进步一等奖3次、二等奖4次，上海市科技进步二等奖1次等各种科技奖共20余次。

朱俊，1982年获武汉大学半导体物理学士学位，1984年获武汉大学理论物理硕士学位，2000年获复旦大学粒子物理及核物理博士学位。现主要从事电路教学与研究，及催化剂的制备与表征等工作。近年来主持及参加了多项国家及湖北省自然科学基金项目，并在此领域发表十余篇论文。

1985－1997 中南民族大学电子工程系教师，历任讲师、副教授；并负责筹建电子测量与电视机实验室；

1997－ 武汉大学物理科学与技术学院教师，副教授，