三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！？

三星在今天凌晨举办了新闻发布会，公布了旗下最新的工艺制程路线图，在新的路线图中，三星希望能够在2020年推进4nm工艺制程，显得野心勃勃。

三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！

“我们的路线图充满希望和野心，因为三星不单单只是计划这些新的工艺制程，而是在这些时间点上真的能够实现预定的计划”三星市场高级总监Kelvin Low如此说道。

三星公布最新半导体工艺路线图：2020年推进4nm！

根据三星的计划，在未来三年内也就是2017年至2020年，三星半导体的工艺制程将一步一个脚步的前进。比如今年试产8nm工艺，2018年量产7nm工艺，2019年则成功研发6nm以及5nm工艺，至于2020年，三星希望直接将工艺制程推进至4nm。

目前三星还称自己的晶圆厂所使用的光刻机已经可以达到每天1000片晶圆的产量，而未来三星希望将产量提升50%至1500片。同时三星还宣布将会在2018年引进最先进的EUV光刻机加入到晶圆的制造中来。

半导体的发现实际上可以追溯到很久以前。

1833年，英国科学家电子学之父法拉第最先发现硫化银的电阻随着温度的变化情况不同于一般金属，一般情况下，金属的电阻随温度升高而增加，但巴拉迪发现硫化银材料的电阻是随着温度的上升而降低。这是半导体现象的首次发现。

不久，1839年法国的贝克莱尔发现半导体和电解质接触形成的结，在光照下会产生一个电压，这就是后来人们熟知的光生伏特效应，这是被发现的半导体的第二个特征。

1873年，英国的史密斯发现硒晶体材料在光照下电导增加的光电导效应，这是半导体又一个特有的性质。半导体的这四个效应，(jianxia霍尔效应的余绩──四个伴生效应的发现)虽在1880年以前就先后被发现了，但半导体这个名词大概到1911年才被考尼白格和维斯首次使用。而总结出半导体的这四个特性一直到1947年12月才由贝尔实验室完成。

在1874年，德国的布劳恩观察到某些硫化物的电导与所加电场的方向有关，即它的导电有方向性，在它两端加一个正向电压，它是导通的；如果把电压极性反过来，它就不导电，这就是半导体的整流效应，也是半导体所特有的第三种特性。同年，舒斯特又发现了铜与氧化铜的整流效应。

很多人会疑问，为什么半导体被认可需要这么多年呢？主要原因是当时的材料不纯。没有好的材料，很多与材料相关的问题就难以说清楚。如果感兴趣可以读一下Robert W.Cahn的The coming of Materials Science中关于半导体的一些说明 。

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