半导体发光

首先说LED：

LED：发光二极管 其有二极管的结构，即由pn结组成。正向偏置时，即电源正极接p端，负极接n端，由于电势能的作用（同性相斥异性相吸），位于n区的电子会往p区流动，位于p区的空穴会向n区流动，它们在相反方向的流动过程中会发生复合，复合可想象为带正电的空穴和带负电的电子相撞1+（－1）＝0，会有多余的能量以光子的形式往外释放。光子的能量不同 能量＝ hv,v = c/r.其中 h为定值，v为光的频率，c为光速定值，r为波长。不同半导体所释放的能量不同所以辐射出的光的波长不同，我们就能看到不同颜色的光了。光的颜色由光子波长决定。

还有种是OLED 有机发光二极管 原理和无机发光二极管LED差不多。

从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。GrasaVampiro(站内联系TA)CdS，等荧光粉物质rava(站内联系TA)发光共轭聚合物（也称导电高分子）应该也可以归到此类。loujilong(站内联系TA)Originally posted by exciton-wu at 2009-10-15 15:21:一般来说，荧光就是在光激发下，样品能够发光。从这个意义上说，所有的半导体，只要激发光能够激发起来，都能够发出荧光。带间跃迁产生的荧光波长基本上与带隙成反比，如果单位采用纳米和电子伏，乘积为1240左右。 大哥，给举个例子行吗？exciton-wu(站内联系TA)比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。比如GaAs，带隙1.4eV，发光850－870nm，ZnSe，带隙2.6－2.7eV，带边发光在460nm到470nm。ZnO带隙3.2eV，带边发光380nm，CdS 带隙2.5eV，带边发光约500－520nm。

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