p型半导体中多数载流子是什么？

P型半导体即空穴浓度远大于自由电子浓度的杂质半导体。

如果半导体中电子浓度大时，电子就是多数载流电子，空穴就是少数载流电子。相反，如果该半导体中空穴浓度大时，空穴就是多数载流电子，电子就是少数载流电子。

P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼），使之取代晶格中硅原子的位置，形成P型半导体，N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷），使之取代晶格中硅原子的位置，就形成了N型半导体。

扩展资料：

P型半导体中多数载流子为空穴，空穴是带正电荷载流子。N型半导体中多数是自由电子，自由电子是带负电荷载流子。

是以带正电的空穴导电为主的半导体。在纯硅中掺入微量3价元素铟或铝，由于铟或铝原子周围有3个价电子，与周围4价硅原子组成共价结合时缺少一个电子，形成一个空穴。空穴相当于带正电的粒子，在这类半导体的导电中起主要作用。

参考资料来源：百度百科-空穴型半导体

1:P型半导体：在纯净的硅晶体中掺入三价元素（如硼）,使之取代晶格中硅原子的位置,形成P型半导体,N型半导体：在纯净的硅晶体中掺入五价元素（如磷）,使之取代晶格中硅原子的位置,就形成了N型半导体.

2:N型半导体中 自由电子的浓度大于空穴的浓度,称为多数载流子,空穴称为少数载流子

P型半导体中 多数载流子为空穴,少数载流子为电子

3:P型半导体中多数载流子为空穴,空穴是带正电荷载流子.N型半导体中多数是自由电子,自由电子是带负电荷载流子.

首先空穴不是真实存在的，是人们虚拟。当一个电子有价带跃迁到导带的同时，价带中就产生了一个空量子态，人们虚拟为空穴。且空穴（空位）也不能移动的，只是因为空位相邻的共价键上的电子很容易跑到这个空位上，这样其相邻的共价键上就形成了一个新的空位，其效果就好像空位在移动。下面来回答您的问题：P型半导体之所以空穴为多子的原因是：受主杂质原子（如3价硼）能在价带中产生空穴，但不在导带中产生电子（P表示带正电的空穴）。具体的描述：硼的三个价电子与硅都形成了共价键，而有个共价键是空的。如果有一个电子填充这个“空”位，因为此时的硼原子带负电，它的能量必须比价电子的能量高。但是，占据这个“空”位的电子并不具有足够的能量进入导带，它的能量远小于导带底能量。当硼原子引入的空位被填满时，其他价电子的位置将变空。可以把出来的位置想象成半导体材料中的空穴。空位的不断被填充，不断有新的空位产生，我们可以看出空位在移动，因此多子为空穴。您提到的负离子即填充空位的负离子，仅能使价带电子跃迁到某一能级Ea而非跃迁到导带的电子。整个过程就是这样的，在价带产生了空穴，而不再导带产生电子。N型半导体之所以电子为多子的原因是：施主杂质原子增加导带电子，但并不产生价带空穴。（N表示带负电的电子）

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