稳压二极管习题。

A选择题

9.1.1对半导体言，其正确的说法是（ ）。

（1）P型半导体中由于多数载流子为空穴，所以它带正电。

（2）N型半导体中由于多数载流子为自由电子，所以它带负电。

（3）P型半导体和N型半导体本身都不带电。

9.2.1在图9.01所示的电路中，U0为（ ）。

（1）-12V   （2）-9V   （3）-3V

图9.01 习题9.2.1的图

图9.02 习题9.2.2的图

9.2.2在图9.02所示的电路中，U0为（ ）。其中，忽略二极管的正向压降。

（1）4V   （2）1V   （3）10V

9.3.1在图9.03所示的电路中，稳压二极管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，其正向压 降可忽略不计，则U0为（ ）。

（1）5V   （2）7V   （3）0V

图9.03 习题9.3.1的图

图9.04 习题9.3.2的图

9.3.2在图9.04所示电路中，稳压二极管DZ1和DZ2的稳定电压分别为5V和7V，其正向压降 可忽略不计，则U0为（ ）。

（1）5V   （2）7V   （3）0V

9.4.1在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为9V，4V，3.4V，则这三个极分别 为（ ）。

（1）C,B,E   （2）C,E,B   （3）E,C,B

9.4.2在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为-6V，-2.3V，-2V，则-2.3V的那 个极为（ ）。

（1）集电极   （2）基极   （3）发射极

9.4.3在放大电路中，若测得某晶体管三个极的电位分别为6V，1.2V,1V,则该管为（ ）。

（1）NPN型硅管   （2）PNP型锗管   （3）NPN型锗管

9.4.4对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC>0,UCE>0,则此管工作在（ ）。

（1）放大区   （2）饱和区   （3）截止区

9.4.5对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE>0,UBC<0,UCE>0,则此管工作在（ ）。

（1）放大区   （2）饱和区   （3）截止区

9.4.6对某电路中一个NPN型硅管测试，测得UBE<0,UBC<0,UCE>0,则此管工作在（ ）。

（1）放大区   （2）饱和区   （3）截止区

9.4.7晶体管的控制方式为（ ）。

（1）输入电流控制输出电压

（2）输入电流控制输出电流

（3）输入电压控制输出电压

扩展资料

稳压二极管是利用PN结反向击穿电压基本上不随电流变化的现象制作的、起电压稳定作用的晶体二极管。稳压二极管（又叫齐纳二极管）,此二极管是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

稳压二极管的特点就是反向通电尚未击穿前，其两端的电压基本保持不变。这样，当把稳压管接入电路以后，若由于电源电压发生波动，或其它原因造成电路中各点电压变动时，负载两端的电压将基本保持不变。

从外形上看，金属封装稳压二极管管体的正极一端为平面形，负极一端为半圆面形。塑封稳压二极管管体上印有彩色标记的一端为负极，另一端为正极。

对标志不清楚的稳压二极管，也可以用万用表判别其极性，测量的方法与普通二极管相同，即用万用表R×1k档，将两表笔分别接稳压二极管的两个电极，测出一个结果后，再对调两表笔进行测量。在两次测量结果中，阻值较小那一次，黑表笔接的是稳压二极管的正极，红表笔接的是稳压二极管的负极。

稳压管反接时稳压，正接时如果导通就相当一个稳压值为正向压降的稳压管。

图a:DZ1两端电压为稳压值4.5V，DZ2导通，两端电压为正向压降0.5v

所以Uo=4.5V + 0.5V=5V

图b:DZ1两端电压为稳压值4.5V，DZ2两端电压为稳压值9.5V

所以Uo=9.5V-4.5V=5V

至于DZ1,DZ2为什么在这种情况下是稳压的，由于你的题上没有给出稳压管工作的电流范围，无法求解它们是否真的工作在稳压区，我只能认为题目是默认它们此时工作在稳压区的，如果给出了稳压管工作的电流范围，就要具体问题具体分析了

1.1.单向导电性0.6~0.7V,一般写0.7V就好.

1.A

在反向击穿区,反向击穿电流在较大范围内变化时,管子两端的电压变化范围却很小,起到稳压作用.

2.B

两级放大电路总的通频带比任何一级放大电路都窄.因此,多级放大电路提高了电压放大倍数,但是以牺牲通频带为代价.

3.D

利用电场效应来控制半导体中多数载流子的运动,以实现放大作用.

场效应管是电压控制型器件,是栅源电压控制漏极电流.而三极管是电流控制器件,是基极电流控制集电极电流.

4.A

在本征半导体硅或锗的晶体中掺入微量三价元素硼(或镓,铟等),半导体内部空穴的数量将增加成千上万倍,导电能力大大提高,这类杂质半导体称为P型半导体,也称为空穴型半导体.

如果在本征半导体硅或锗的晶体中掺入微量五价元素磷(或砷,锑等),半导体内部的自由电子的数量将增加成千上万倍,导电能力大大提高,这类杂质半导体称为N型半导体,也称为电子型半导体.

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